[發(fā)明專利]一種RRAM存儲(chǔ)器讀電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310190986.9
• 申請(qǐng)日: 2013-05-21
• 公開（公告）號(hào): CN103325414A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于杰;焦斌;吳明昊;吳華強(qiáng);鄧寧;錢鶴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): G11C11/56
• 分類號(hào): G11C11/56
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種RRAM存儲(chǔ)器讀電路，包括：

阻變單元陣列，包括多個(gè)串并聯(lián)的RRAM阻變單元，用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能；

參考單元陣列，包括多個(gè)串并聯(lián)的RRAM阻變單元，用于提供參考電壓；

多級(jí)調(diào)節(jié)電流模塊，包括譯碼器和多級(jí)參考支路模塊，所述多級(jí)參考支路模塊具有多級(jí)參考支路，所述多級(jí)參考支路對(duì)應(yīng)多級(jí)參考電流值；

電流鏡，所述電流鏡的兩端分別與靈敏放大器和多級(jí)參考支路模塊相連，用于實(shí)現(xiàn)電流鏡像；

所述靈敏放大器，所述靈敏放大器的正輸入端與所述阻變單元陣列相連，負(fù)輸入端與所述電流鏡相連，輸出端輸出數(shù)據(jù)。

2.如權(quán)利要求1所述的RRAM存儲(chǔ)器讀電路，其特征在于，所述多級(jí)參考支路對(duì)應(yīng)多級(jí)參考電流值，記取I_ref=xI_Rlow，其中I_ref為參考電流，I_Rlow為阻變材料為低阻時(shí)的讀通路電流，x=0.1～2。