[發(fā)明專(zhuān)利]一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310190350.4
• 申請(qǐng)日: 2013-05-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103258501A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊飛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G09G3/32
• 分類(lèi)號(hào): G09G3/32
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國(guó)勝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光二極管（OLED，Organic?Light-Emitting?Diode）作為一種電流型發(fā)光器件已越來(lái)越多地被應(yīng)用于高性能有源矩陣發(fā)光有機(jī)電致顯示管中。傳統(tǒng)的無(wú)源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示管（Passive?Matrix?OLED）隨著顯示尺寸的增大，需要更短的單個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)時(shí)間，因而需要增大瞬態(tài)電流，增加功耗。同時(shí)大電流的應(yīng)用會(huì)造成納米銦錫金屬氧化物線上壓降過(guò)大，并使OLED工作電壓過(guò)高，進(jìn)而降低其效率。而有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示管（AMOLED，Active?Matrix?OLED）通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管逐行掃描輸入OLED電流，可以很好地解決這些問(wèn)題。

在AMOLED的背板設(shè)計(jì)中，主要需要解決的問(wèn)題是各AMOLED像素單元的補(bǔ)償電路之間的亮度非均勻性。

首先，AMOLED采用薄膜晶體管（TFT，Thin-Film?Transistor）構(gòu)建像素電路為發(fā)光器件提供相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流。現(xiàn)有技術(shù)中，大多采用低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管。與一般的非晶硅薄膜晶體管相比，低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管具有更高的遷移率和更穩(wěn)定的特性，更適合應(yīng)用于AMOLED顯示中。但是由于晶化工藝的局限性，在大面積玻璃基板上制作的低溫多晶硅薄膜晶體管，常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學(xué)參數(shù)上具有非均勻性，這種非均勻性會(huì)轉(zhuǎn)化為OLED器件的驅(qū)動(dòng)電流差異和亮度差異，并被人眼所感知，即色不均現(xiàn)象。氧化物薄膜晶體管雖然工藝的均勻性較好，但是與非晶硅薄膜晶體管類(lèi)似，在長(zhǎng)時(shí)間加壓和高溫下，其閾值電壓會(huì)出現(xiàn)漂移，由于顯示畫(huà)面不同，面板各部分薄膜晶體管的閾值漂移量不同，會(huì)造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關(guān)，因此常呈現(xiàn)為殘影現(xiàn)象。

第二，在大尺寸顯示應(yīng)用中，由于背板電源線存在一定電阻，且所有像素的驅(qū)動(dòng)電流都由電源電壓（ARVDD）提供，因此在背板中靠近ARVDD電源供電位置區(qū)域的電源電壓相比較離供電位置較遠(yuǎn)區(qū)域的電源電壓要高，這種現(xiàn)象被稱(chēng)為電源壓降。由于ARVDD的電壓與電流相關(guān)，電源壓降也會(huì)造成不同區(qū)域的驅(qū)動(dòng)電流差異，進(jìn)而在顯示時(shí)產(chǎn)生色不均現(xiàn)象。采用P型TFT構(gòu)建像素單元的低溫多晶硅工藝對(duì)這一問(wèn)題尤其敏感，因?yàn)槠浯鎯?chǔ)電容連接在ARVDD與TFT柵極之間，ARVDD的電壓改變，會(huì)直接影響驅(qū)動(dòng)TFT管的柵極電壓V_gs。

第三，發(fā)光器件在蒸鍍時(shí)由于膜厚不均也會(huì)造成電學(xué)性能的非均勻性。對(duì)于采用N型TFT構(gòu)建像素單元的非晶硅或氧化物薄膜晶體管工藝，其存儲(chǔ)電容連接在驅(qū)動(dòng)TFT柵極與發(fā)光器件陽(yáng)極之間，在數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)綎艠O時(shí)，如果各像素發(fā)光器件第一電壓端不同，則實(shí)際加載在TFT上的柵極電壓V_gs不同，從而驅(qū)動(dòng)電流不同造成顯示亮度差異。

因此，為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明急需提供一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)的像素電路在補(bǔ)償時(shí)發(fā)生的驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓非均勻性的目的。

本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：一種像素電路，包括復(fù)位子電路，充電子電路、驅(qū)動(dòng)子電路以及發(fā)光器件，其中，

所述發(fā)光器件的第一端連接第二電壓端；

所述驅(qū)動(dòng)子電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管、第一晶體管、第三晶體管和第一存儲(chǔ)電容、第二存儲(chǔ)電容，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接所述第一晶體管的漏極以及所述第三晶體管的漏極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極連接所述發(fā)光器件的第二端，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接所述第一存儲(chǔ)電容的第一端；所述第一晶體管的源極連接第一電壓端，所述第一晶體管的柵極連接所述第二存儲(chǔ)電容的第一端；

所述第二存儲(chǔ)電容的第二端連接參考電壓端；所述第三晶體管的源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，所述第三晶體管的漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極，所述第三晶體管的柵極連接第一掃描信號(hào)線；

所述復(fù)位子電路用于在第一掃描信號(hào)線輸出的第一掃描信號(hào)的控制下對(duì)所述第一存儲(chǔ)電容和所述第二存儲(chǔ)電容進(jìn)行放電；

所述充電子電路包括第五晶體管和第六晶體管，所述第五晶體管的源極連接數(shù)據(jù)電壓輸入端，所述第五晶體管的漏極連接所述第四晶體管的源極，所述第五晶體管的柵極連接第二掃描信號(hào)線；所述第六晶體管的柵極和所述第六晶體管的源極連接第三掃描信號(hào)線，所述第六晶體管的漏極連接所述第二晶體管的源極。