[發(fā)明專利]電容式觸摸屏的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310188573.7
• 申請(qǐng)日: 2013-05-07
• 公開（公告）號(hào): CN104142764A
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃俊雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 貴州達(dá)沃斯光電有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/044
• 分類號(hào): G06F3/044
• 代理公司: 無(wú)
• 代理人: 無(wú)

1.一種電容式觸摸屏的制造方法，包括：

步驟S1：提供一玻璃基板，其尺寸對(duì)應(yīng)于一個(gè)終端產(chǎn)品的尺寸；

步驟S2：強(qiáng)化該玻璃基板；及

步驟S3：在強(qiáng)化后的玻璃基板上成型ITO薄膜，利用激光束將ITO薄膜融化及氣化后成型。

2.如權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏的制造方法，其特征在于：該激光束通過光學(xué)系統(tǒng)聚焦后形成直徑小于0.03mm的光斑，能量密度為108w/cm～1080w/cm。

3.如權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏的制造方法，其特征在于：其進(jìn)一步包括步驟S4：通過絲印的方式在玻璃基板上形成圖案層，該圖案層的材料為油墨。

4.如權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏的制造方法，其特征在于：步驟S2包括：

S21：將該玻璃基板送入強(qiáng)化爐進(jìn)行強(qiáng)化處理，且在該玻璃基板送入強(qiáng)化爐前在該玻璃基板之凹槽處涂抹保護(hù)藥品；及

S22：在玻璃基板的第一表面和第二表面上分別進(jìn)行表面處理。

5.如權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏的制造方法，其特征在于：步驟S3中，是在130℃-230℃的溫度條件下，將ITO薄膜濺鍍到玻璃基板上。

6.如權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏的制造方法，其特征在于：其進(jìn)一步包括步驟S5：利用網(wǎng)版印刷的方式將導(dǎo)體端子處的引腳轉(zhuǎn)印至ITO成型后的觸摸屏上。

7.如權(quán)利要求6所述的電容式觸摸屏的制造方法，其特征在于：導(dǎo)體轉(zhuǎn)印至觸摸屏后，利用恒溫壓合機(jī)將FPC壓合于觸摸屏上。

8.如權(quán)利要求1所述的電容式觸摸屏的制造方法，其特征在于：其進(jìn)一步包括步驟S6：在觸摸屏表面貼附一層防護(hù)膜。

9.如權(quán)利要求8所述的電容式觸摸屏的制造方法，其特征在于：利用貼合機(jī)在ITO表面貼附一層ASF(防爆膜，Anti?scattering?film)。

10.一種電容式觸摸屏的制造方法，包括：

步驟S21：提供一玻璃基板；

步驟S22：強(qiáng)化該玻璃基板；

步驟S23：通過絲印的方式在玻璃基板上形成圖案層，該圖案層的材料為油墨；

步驟S24，在130℃-230℃的溫度條件下，將ITO薄膜濺鍍到玻璃基板上；及

步驟S25：成型ITO薄膜，利用激光束通過光學(xué)系統(tǒng)聚焦后形成直徑小于0.03mm的光斑，獲得108w/cm～1080w/cm的能量密度將ITO薄膜融化及氣化后成型。