[發明專利]用于三維電路集成的過孔結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201310187977.4
• 申請日: 2013-05-20
• 公開（公告）號: CN103426863A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: M·G·法魯奇;T·L·格雷夫斯-阿貝;S·斯科達斯;K·R·溫斯特爾
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種并入三維集成(3Di)的電路，包括：

底層，包括連接到所述底層中的功能部件的底部著陸焊盤；以及

在所述底層之上堆疊的多個上層，其中所述上層中的每個上層包括連接到所述相應上層中的相應功能部件的相應上著陸焊盤，

其中所述上著陸焊盤和所述底部著陸焊盤由單個傳導過孔耦合，并且在所述底層和所述上層的堆疊中對準所述上著陸焊盤和所述底部著陸焊盤，從而所述上著陸焊盤和所述底部著陸焊盤中的每個著陸焊盤從所述堆疊中的相鄰層中的所述著陸焊盤中的任何著陸焊盤被偏移至少一個預定量。

2.根據權利要求1所述的電路，其中對準所述著陸焊盤，從而在一個方向上相繼偏移所述著陸焊盤。

3.根據權利要求1所述的電路，其中在螺旋配置中對準所述著陸焊盤。

4.根據權利要求1所述的電路，其中所述上著陸焊盤和所述底部著陸焊盤中的至少一個著陸焊盤包括傳導襯墊。

5.根據權利要求1所述的電路，其中與所述過孔接觸的所述著陸焊盤的截面面積相等。

6.根據權利要求1所述的電路，其中所述上著陸焊盤中的至少兩個上著陸焊盤包括相應保護涂層，并且所述保護涂層的厚度從所述堆疊中的所述上著陸焊盤中的所述至少兩個上著陸焊盤中的最低著陸焊盤的所述保護涂層到所述上著陸焊盤中的所述至少兩個著陸焊盤的最高著陸焊盤的所述保護涂層漸進地增加。

7.一種并入三維集成(3Di)的晶片多堆疊部件，包括：

底部晶片，包括連接到所述底部晶片中的功能部件的底部著陸焊盤；以及

在所述底部晶片之上堆疊的多個上晶片，其中所述上晶片中的每個上晶片包括連接到所述相應上晶片中的相應功能部件的相應上著陸焊盤，

其中所述著陸焊盤由單個傳導過孔耦合，并且在螺旋配置中對準所述上著陸焊盤。

8.根據權利要求7所述的晶片多堆疊部件，其中在所述螺旋配置的中心設置所述底部著陸焊盤。

9.根據權利要求7所述的晶片多堆疊部件，其中與所述過孔接觸的所述著陸焊盤的截面面積相等。

10.根據權利要求7所述的晶片多堆疊部件，其中所述底部晶片和所述上晶片形成堆疊，其中所述上晶片的所述上著陸焊盤中的每個上著陸焊盤包括相應保護涂層，并且所述保護涂層的厚度從所述堆疊中的最低上晶片的所述上著陸焊盤的所述保護涂層到最高上晶片的所述上著陸焊盤的所述保護涂層漸進地增加。

11.一種并入三維集成(3Di)的集成電路，包括：

下層，包括連接到所述下層中的功能部件的下著陸焊盤；以及

在所述下層之上堆疊的至少一個上層，其中所述至少一個上層中的每層包括連接到所述相應上層中的相應功能部件的相應上著陸焊盤，

其中所述上著陸焊盤和所述下著陸焊盤在所述下層和所述至少一個上層形成的堆疊中由單個傳導過孔耦合，其中所述上著陸焊盤和所述下著陸焊盤中的每個著陸焊盤包括相應保護涂層，并且所述保護涂層的厚度從所述堆疊中的所述下著陸焊盤的所述保護涂層到所述至少一個上層中的頂部上層中的所述上著陸焊盤的所述保護涂層漸進地增加。

12.根據權利要求11所述的集成電路，其中在所述堆疊中對準所述上著陸焊盤和所述下著陸焊盤，從而所述上著陸焊盤和所述下著陸焊盤中的每個著陸焊盤從所述堆疊中的相鄰層中的所述著陸焊盤中的任何著陸焊盤被偏移至少一個預定量。

13.根據權利要求12所述的集成電路，其中對準所述上著陸焊盤和所述下著陸焊盤，從而在一個方向上相繼偏移所述上著陸焊盤和所述下著陸焊盤。

14.根據權利要求12所述的集成電路，其中在螺旋配置中對準所述上著陸焊盤和所述下著陸焊盤。

15.根據權利要求12所述的集成電路，其中所述至少一個上層是多層，其中在螺旋配置中對準所述多層的所述上著陸焊盤，并且在所述螺旋配置的中心設置所述下著陸焊盤。

16.根據權利要求11所述的集成電路，其中與所述過孔接觸的所述上著陸焊盤和所述下著陸焊盤的截面面積相等。