[發(fā)明專利]半導(dǎo)體層疊板和垂直腔面發(fā)射激光器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310187942.0
• 申請(qǐng)日: 2013-03-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103311805A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 原敬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社理光
• 主分類號(hào): H01S5/183
• 分類號(hào): H01S5/183;H01S5/343
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張祥

1.一種半導(dǎo)體層疊板，包括：

半導(dǎo)體分布布拉格反射鏡(DBR)，其形成在基底上；以及

諧振器層，其通過(guò)交替層疊寬能帶半導(dǎo)體層和有源層形成在半導(dǎo)體分布布拉格反射鏡上，

其中每一個(gè)有源層都包含一個(gè)多量子阱(MQW)層和兩個(gè)分隔層，所述多量子阱層的每個(gè)表面上形成一個(gè)分隔層，

其中所述多量子阱層通過(guò)交替層疊勢(shì)壘層和量子阱層形成，

其中形成n層寬能帶半導(dǎo)體層，且從基底數(shù)第m層寬能帶半導(dǎo)體層的能隙Eg_m，以及從基底數(shù)第m-1層寬能帶半導(dǎo)體層的能隙Eg_m-1滿足Eg_m-1＜Eg_m，其中n和m均為大于或等于2的整數(shù)，且1＜m≤n。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體層疊板，

其中所述寬能帶半導(dǎo)體層由包含磷化銦鋁鎵的材料形成，第m層寬能帶半導(dǎo)體層的鋁的成分比例X_m和第m-1層寬能帶半導(dǎo)體層的鋁的成分比例X_m-1滿足X_m-1＜X_m。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體層疊板，

其中所述寬能帶半導(dǎo)體層由包含砷磷化鋁鎵銦的材料形成，第m層寬能帶半導(dǎo)體層的鋁的成分比例X_m和第m-1層寬能帶半導(dǎo)體層的鋁的成分比例X_m-1滿足X_m-1＜X_m。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體層疊板，

其中如果所述寬能帶半導(dǎo)體層由包含磷化銦鋁鎵的材料形成，則所述寬能帶半導(dǎo)體層具有規(guī)定成分的銦和磷，而如果所述寬能帶半導(dǎo)體層由包含砷磷化鋁鎵銦的材料形成，則所述寬能帶半導(dǎo)體層具有規(guī)定成分的銦、磷和砷。

5.根據(jù)權(quán)利要求1到4所述的半導(dǎo)體層疊板，

其中如果所述量子阱層具有壓縮畸變，則所述寬能帶半導(dǎo)體層具有拉伸畸變，而如果所述量子阱層具有拉伸畸變，則所述寬能帶半導(dǎo)體層具有壓縮畸變。

6.根據(jù)權(quán)利要求1到5所述的半導(dǎo)體層疊板，

其中從基底數(shù)起的第1層到第n-1層寬能帶半導(dǎo)體層中的每一個(gè)，其中心都位于駐波的節(jié)點(diǎn)處，

其中從基底數(shù)起的第n層寬能帶半導(dǎo)體層的一個(gè)附著于有源層上的表面位于所述駐波的節(jié)點(diǎn)處，且其另一個(gè)表面位于所述駐波的波腹點(diǎn)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1到6所述的半導(dǎo)體層疊板，

其中所述分隔層由砷化鎵形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1到7所述的半導(dǎo)體層疊板，

其中第m-1層和第m層寬能帶半導(dǎo)體層之間的間距比第m層和第m+1層寬能帶半導(dǎo)體層之間的間距寬。

9.一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括：

根據(jù)權(quán)利要求1到8所述的半導(dǎo)體層疊板；

布置在所述諧振器層上的外部反射鏡；以及

激發(fā)光源，來(lái)自其的比所述諧振器層發(fā)射出的光線波長(zhǎng)更短的光線照射到所述諧振器層上。

10.一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括：

根據(jù)權(quán)利要求1到8所述的半導(dǎo)體層疊板；以及

上層半導(dǎo)體分布布拉格反射鏡，其形成于諧振器層上，

其中半導(dǎo)體層疊板上的半導(dǎo)體分布布拉格反射鏡是下層半導(dǎo)體分布布拉格反射鏡，

其中通過(guò)注入電流到諧振器層中而發(fā)射激光。