[發(fā)明專利]基板干燥的裝置與方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310187917.2
• 申請日: 2008-05-22
• 公開（公告）號: CN103824757B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭英周;李福圭;黃善奎;裴正龍;龍秀彬
• 申請（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種干燥基板的方法，包括：

前階段，在所述前階段中，向基板底面噴射熱流體以提高該基板的溫度，同時向旋轉(zhuǎn)基板的上表面噴射有機(jī)溶劑；

所述熱流體是去離子水(DI water)，所述有機(jī)溶劑是異丙醇(IPA)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

后階段，在所述后階段中，停止噴射所述熱流體，并向所述基板的上表面噴射所述有機(jī)溶劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述前階段與所述后階段期間，與所述有機(jī)溶劑一起噴射干燥氣體，以改善所述有機(jī)溶劑的汽化能力。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述后階段中的基板旋轉(zhuǎn)速度高于所述前階段中的基板旋轉(zhuǎn)速度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述后階段期間，所述有機(jī)溶劑從所述基板中心到所述基板邊緣只噴射一次。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述前階段包括：

掃描步驟，在所述掃描步驟中所述有機(jī)溶劑的掃描噴射被引導(dǎo)著從所述基板中心到所述基板邊緣、以及從所述基板邊緣再到所述基板中心；和

定點步驟，在所述定點步驟中所述有機(jī)溶劑在所述基板中心定點噴射，

其中所述熱流體僅在所述定點步驟中噴射到所述基板的底面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括：

后階段，在所述后階段中，停止噴射所述熱流體，并僅向所述基板的上表面中心噴射有機(jī)溶劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述后階段中基板的旋轉(zhuǎn)速度高于所述前階段中基板的旋轉(zhuǎn)速度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述后階段中基板的旋轉(zhuǎn)速度是1400～1600轉(zhuǎn)/分。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，噴射到所述基板底面的所述熱流體的溫度是60～80℃。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述前階段中，聚積在管路中的液體排放一定時間后，再向所述基板底面噴射所述熱流體。

12.一種干燥基板的方法，包括：

前階段，在所述前階段中，向基板底面噴射熱流體以提高該基板的溫度，與此同時向所述基板上表面噴射有機(jī)溶劑、并向所述基板上表面噴射干燥氣體以改善所述有機(jī)溶劑的汽化能力；和

后階段，在所述后階段中，停止噴射所述熱流體，向所述基板上表面噴射所述有機(jī)溶劑與所述干燥氣體；

所述熱流體是去離子水(DI water)，所述有機(jī)溶劑是異丙醇(IPA)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述后階段中基板的旋轉(zhuǎn)速度是600～800轉(zhuǎn)/分，所述旋轉(zhuǎn)速度高于所述前階段中基板的旋轉(zhuǎn)速度；并且

其中所述有機(jī)溶劑從所述基板中心到所述基板邊緣只噴射一次。

14.一種干燥基板的方法，包括：

前階段，在所述前階段中，有機(jī)溶劑的掃描噴射被引導(dǎo)著從基板中心到基板邊緣、以及從基板邊緣再到基板中心之后，向基板底面噴射熱流體以提高所述基板溫度，同時向所述基板中心定點噴射所述有機(jī)溶劑；和

后階段，在所述后階段中停止噴射所述熱流體，并僅向所述基板上表面中心噴射所述有機(jī)溶劑；

所述熱流體是去離子水(DI water)，所述有機(jī)溶劑是異丙醇(IPA)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述后階段中基板的旋轉(zhuǎn)速度是1400～1600轉(zhuǎn)/分，所述旋轉(zhuǎn)速度高于所述前階段中基板的旋轉(zhuǎn)速度。