[發明專利]一種LED晶片切割方法

有效

• 申請號: 201310187325.0
• 申請日: 2013-05-20
• 公開（公告）號: CN103612015A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: 曾瑩;趙鑫;劉為剛;歐陽桃
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;B23K26/60
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明

技術領域

本發明涉及LED晶片生產技術領域，特別地，涉及一種LED晶片切割方法。

背景技術

LED的切割技術最為成熟的是普通激光切割，一般來說，激光的波長為355nm或者266nm，其特點在于它既能劃開藍寶石襯底，也能劃開各種膜層。比如GAN層，布拉格反射層、金屬層等。

近年來出現的LED切割技術為隱形激光切割，其特點在于它能穿透藍寶石襯底，在藍寶石中間層形成具有能量的氣孔，爆開氣孔達到切割的目的。它減少了晶片側面的激光灼傷面積，從而減少晶片的出光損失，以此手段可提高晶片的出光亮度5～10%，但是由于激光波長為1064nm，所以它在穿透GAN層和某些布拉格反射層會導致激光穿透異常，并且它也無法穿透金屬膜層，所以它既不能用于晶片的正面切割，也不能用于背面蒸鍍了金屬膜層晶片的切割。

晶片在減薄后常需在其背面鍍上光學反射膜層以提升晶片的亮度。常用的反射膜可以為布拉格反射膜、金屬反射膜或者二者的復合體。據實驗數據顯示背鍍反射膜的晶片比未背鍍反射膜的晶片，亮度提高5%以上。

由于大功率晶片對亮度和可靠性的要求越來越高，所以在大功率晶片上結合隱形切割和背鍍反射膜層的工藝技術迅速的發展起來，其中以先切割后蒸鍍膜層為主要工藝方法，但由于切割后，晶片內部己經形成切痕，即使使用了某些方法能夠有效減少晶片在背鍍時的破片，但破片率仍然高于普通晶片的3%-5%，從工藝的控制和生產的穩定性而言并不是可取的方法。

因此，研制一種新型的LED晶片切割方法是急需解決的技術問題。

發明內容

本發明目的在于提供一種LED晶片切割方法，以解決的技術問題。

為實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種LED晶片切割方法包括LED晶片，低功率普通切割激光和隱形切割激光同時應用于同一LED晶片上。

進一步地，切割時，先用低功率普通切割激光在晶片上形成一道切割痕；然后，再用隱形切割激光在普通激光切割過的切割痕上進行隱形切割。

進一步地，隱形切割的位置與普通切割的痕跡完全重合。

進一步地，普通切割激光在晶片上形成的切割痕，深度不大于10μm，寬度不小于8μm。

進一步地，低功率普通切割激光波長為355nm或者266nm，隱形切割激光波長為1064nm。

進一步地，LED晶片為藍寶石襯底的晶片或者蒸鍍膜層的晶片。

進一步地，蒸鍍膜層的晶片為LED晶片的正面或/和背面蒸鍍了膜層。

進一步地，LED晶片上蒸鍍的膜層為布拉格反射層、Au層、Ti層、Ni層或Al層中的至少一種。

為實現上述目的，提供了另一種LED晶片切割方法，包括以下步驟:a、對減薄后的LED晶片進行蒸鍍膜層處理；b、切割LED晶片的正面或者背面；c、采用低功率切割激光切割深度不超過10μm的切割痕；然后采用隱形切割激光在切割痕進行隱形切割；d、切割后，貼麥拉膜進行常規裂片，得到樣片。

進一步地，將普通激光切割器置于隱形切割機中，普通激光頭與隱形激光頭固定在同一運動軸上。

進一步地，設定普通切割激光的功率為0.2W-1.0W，隱形切割激光功率為0.1W-0.5W。

進一步地，若是在晶片的正面進行切割，在切割前按保護液∶水＝1∶8的比例混合，將混合液均勻涂抹于LED晶片待切割面。

本發明具有以下有益效果

a、能從根本上結合蒸鍍各種膜層的晶片與隱形切割的工藝，避免了由于切割而形成的切痕造成蒸鍍膜層時的破片。該方法，操作簡單，效果明顯，使用同軸的兩個激光頭同時進行時，效率更高。

b、可以有效解決采用蒸鍍各種不同的膜層來提高晶片光電參數的切割問題。尤其可以解決大功率背鍍金屬膜層的晶片需要先隱形切割再背鍍而導致破片率升高，良率低的技術問題。

c、本方案既可以用于晶片背切，也可以用于晶片正切，也可以同時正切和背切，適用范圍廣。

d、結合了普通機激光切割和隱形切割的特點，將其應用于蒸鍍了各種膜層的LED晶片切割，對于背鍍了布拉格反射層和金屬的大功率晶片的背切尤為突出。

除了上面所描述的目的、特征和優點之外，本發明還有其它的目的、特征和優點。下面將參照圖，對本發明作進一步詳細的說明。

附圖說明

構成本申請的一部分的附圖用來提供對本發明的進一步理解，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中:

圖1是本發明優選實施例LED晶片切割后的結構示意圖。