[發(fā)明專利]攝像裝置和攝像顯示系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310186280.5
• 申請日: 2013-05-20
• 公開（公告）號(hào): CN103456753B
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山田泰弘;高德真人
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N5/335;H04N5/341
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11290
• 代理人: 曹正建,陳桂香

1.一種攝像裝置，所述攝像裝置包括多個(gè)像素，各所述像素包括：

光電轉(zhuǎn)換裝置，所述光電轉(zhuǎn)換裝置用于將入射的電磁輻射轉(zhuǎn)換成電信號(hào)；及

至少一個(gè)晶體管，所述至少一個(gè)晶體管包括第一柵電極和位于所述第一柵電極上方的第二柵電極，

其中，所述至少一個(gè)晶體管還包括：

半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層位于所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；

源電極，所述源電極電連接到所述半導(dǎo)體層的第一端部；及

漏電極，所述漏電極電連接到所述半導(dǎo)體層的第二端部，

其中，所述半導(dǎo)體層包括溝道層，所述溝道層具有朝向所述源電極的第一端部和朝向所述漏電極的第二端部，

其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極在第一非重疊區(qū)域和第二非重疊區(qū)域中彼此不重疊，所述溝道層的所述第一端部位于所述第一非重疊區(qū)域中，且所述溝道層的所述第二端部位于所述第二非重疊區(qū)域中，

其中，所述第一端部在所述第一非重疊區(qū)域中從所述第一柵電極露出，且所述第二端部在所述第二非重疊區(qū)域中從所述第二柵電極露出，或者所述第一端部在所述第一非重疊區(qū)域中從所述第二柵電極露出，且所述第二端部在所述第二非重疊區(qū)域中從所述第一柵電極露出，并且

其中，所述半導(dǎo)體層還包括與所述第一端部和所述第二端部中的至少一者鄰近的輕摻雜漏極層。

2.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述第一柵電極的寬度等于或大于所述第二柵電極的寬度。

3.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述第一柵電極與所述溝道層之間的電容等于或大于所述第二柵電極與所述溝道層之間的電容。

4.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述半導(dǎo)體層還包括：

第一活性層，所述第一活性層位于所述半導(dǎo)體層的所述第一端部處，并電連接到所述源電極；及

第二活性層，所述第二活性層位于所述半導(dǎo)體層的所述第二端部處，并電連接到所述漏電極，

其中，所述輕摻雜漏極層位于所述溝道層和所述第二活性層之間。

5.如權(quán)利要求4所述的攝像裝置，其中，所述第一活性層是第一N+層，且所述第二活性層是第二N+層。

6.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述至少一個(gè)晶體管還包括：

第一柵極絕緣膜，所述第一柵極絕緣膜位于所述第一柵電極和所述半導(dǎo)體層之間；及

第二柵極絕緣膜，所述第二柵極絕緣膜位于所述第二柵電極和所述半導(dǎo)體層之間，

其中，所述第一柵極絕緣膜的厚度小于所述第二柵極絕緣膜的厚度。

7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，其中，所述至少一個(gè)晶體管包括串聯(lián)電連接的第一晶體管和第二晶體管。

8.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，其中，所述電磁輻射包括X射線光譜中的光線、α射線光譜中的光線、β射線光譜中的光線、γ射線光譜中的光線和可見光譜中的光線中的至少一者。

9.一種攝像顯示系統(tǒng)，所述攝像顯示系統(tǒng)包括顯示裝置和權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，

其中，所述顯示裝置基于由所述攝像裝置獲得的信號(hào)來顯示圖像。