[發明專利]一種帶凹腔結構的封裝基板的加工方法有效
| 申請號: | 201310186186.X | 申請日: | 2013-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN104167366B | 公開(公告)日: | 2017-06-06 |
| 發明(設計)人: | 高成志;趙增源 | 申請(專利權)人: | 深南電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙)44285 | 代理人: | 唐華明 |
| 地址: | 518000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 帶凹腔 結構 封裝 加工 方法 | ||
技術領域
本發明涉及封裝基板加工技術領域,具體涉及一種帶凹腔結構的封裝基板的加工方法。
背景技術
圖1所示是一種帶凹腔(Cavity)結構的封裝基板的示意圖。凹腔是通過控深銑在封裝基板中形成的內凹式臺階結構,內凹部分可用于埋入芯片組等元件,凹腔底部加工有用于連接芯片組的線路圖形。該種結構封裝基板的優勢在于埋入芯片組后依然能保持封裝基板表面平整,能夠提高封裝基板的有效可使用區域,便于組裝及保護芯片組。
現有技術中,凹腔底部線路圖形的制作工藝包括:內層圖形制作→貼墊片層壓→控深銑→外層圖形。其中,在內層圖形制作步驟中,加工出內層線路圖形,該內層線路圖形包括位于凹腔底部的線路圖形;在貼墊片層壓步驟中,通過在凹腔位置設墊片后進行層壓實現增層;在控深銑步驟中,加工出深度抵達內層線路圖形的凹腔并去除墊片,露出凹腔底部的線路圖形;在外層圖形制作步驟中,加工出外層線路圖形。實際應用中,為了避免控深銑導致內層線路劃傷,通常在加工出內層線路圖形之后,還會在凹腔位置涂覆保護材料對內層線路進行保護,后續控深銑之后再去除涂覆的保護材料。
在對現有技術的研究和實踐過程中,本發明的發明人發現,上述制作工藝中,容易因涂覆的保護材料去除不干凈而導致降低可靠性的問題,且該種制作工藝流程復雜,成本較高。
發明內容
有鑒于此,本發明實施例提供一種帶凹腔結構的封裝基板的加工方法,以提高可靠性,簡化流程,降低成本。
本發明實施例提供一種帶凹腔結構的封裝基板的加工方法,包括:
制作多層基板,該多層基板上形成有凹腔,且該凹腔底部具有金屬層;采用真空貼膜工藝在所述多層基板的外銅箔層上貼感光干膜,并使所述凹腔部位的感光干膜與所述凹腔底部的金屬層貼合;經曝光和顯影步驟,將線路圖形轉移到所述多層基板的外銅箔層上和所述凹腔底部的金屬層上;經蝕刻步驟,將所述多層基板的外銅箔層和所述凹腔底部的金屬層加工成線路圖形。
本發明實施例采用加工出凹腔之后,利用真空貼膜工藝將感光干膜貼合到凹腔底部,對凹腔底部進行圖形轉移并蝕刻線路圖形的技術方案,實現了加工出凹腔之后再加工凹腔底部的線路圖形,從而避免了凹腔加工過程中對內層線路圖形的損傷問題,提高了封裝基板的可靠性,并且,該技術方案簡化了工藝流程,降低了加工成本。
附圖說明
圖1是一種帶凹腔(Cavity)結構的封裝基板的示意圖;
圖2是本發明實施例帶凹腔結構的封裝基板的加工方法的流程圖;
圖3是內層基板的示意圖;
圖4是層壓后層數為四的多層基板的示意圖;
圖5是已加工出凹腔的多層基板的示意圖;
圖6是貼了感光干膜的多層基板的示意圖;
圖7是已加工出外層線路圖形的多層基板的示意圖;
圖8是最終形成的封裝基板的示意圖。
具體實施方式
本發明實施例提供一種帶凹腔結構的封裝基板的加工方法,可以避免凹腔加工過程中對內層線路圖形的損傷,從而提高封裝基板的可靠性,并簡化工藝流程,降低加工成本。以下結合附圖進行詳細說明。
實施例一、
請參考圖2,本發明實施例提供一種帶凹腔結構的封裝基板的加工方法,包括:
110、制作多層基板,該多層基板上形成有凹腔,且凹腔底部具有金屬層。
本步驟中在多層基板上所形成的凹腔的底部至少應抵達多層基板的次外層線路圖形。一種實施方式中,可以將內銅箔層加工成內層線路圖形之后,在所述內層線路圖形上依次壓合外絕緣層和外銅箔層,制成多層基板;然后,在所述在外絕緣層和外銅箔層上加工出底部抵達所述內層線路圖形的凹腔。另一種實施方式中,可以將內銅箔層加工成內層線路圖形之后,在所述內層線路圖形上依次壓合外絕緣層和外銅箔層,所述外絕緣層和外銅箔層上預先開設有通槽,從而制成具有凹腔的多層基板,該凹腔是由所述通槽形成。
下面結合附圖以四層基板為例,對前一種實施方式中如何加工多層基板以及如何在多層基板上加工出凹腔進行詳細說明:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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