[發明專利]多補償結構的高精度電容式壓力傳感器

有效

• 申請號: 201310186111.1
• 申請日: 2013-05-17
• 公開（公告）號: CN103278284A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 張海苗;歐文
• 申請（專利權）人: 江蘇物聯網研究發展中心
• 主分類號: G01L9/12
• 分類號: G01L9/12
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 殷紅梅

1.一種多補償結構的高精度電容式壓力傳感器，包括上基底（100）和下基底（200），上基底（100）的下表面與下基底（200）的上表面接觸；其特征是：在所述下基底（200）上設有中部通槽（201），在中部通槽（201）中設置可動膜片（41），可動膜片（41）與中部通槽（201）的側壁氣密連接，在可動膜片（41）的上表面設置第一支撐部（2011），在可動膜片（41）的下表面設置檢測受力島（5），在第一支撐部（2011）的兩側分別對稱設置第一檢測電極（111）和第二檢測電極（121）；在所述上基底（100）的下表面對應于第一支撐部（2011）的位置設有第一槽體（101），第一槽體（101）的尺寸大于第一支撐部（2011）的尺寸；在所述第一槽體（101）的側壁分別對稱設置第三檢測電極（112）和第四檢測電極（122），第一檢測電極（111）和第三檢測電極（112）相對設置，第二檢測電極（121）和第四檢測電極（122）相對設置。

2.如權利要求1所述的多補償結構的高精度電容式壓力傳感器，其特征是：在所述中部通槽（201）的左側設置左部凹陷區域（202），左部凹陷區域（202）的底部為支撐床（42），在支撐床（42）的表面設置第二支撐部（2021），在第二支撐部（2021）的兩側分別對稱設置第一參考電極（211）和第二參考電極（221）；在所述上基底（100）的下表面對應于第二支撐部（2021）的位置設有第二槽體（102），第二槽體（102）的尺寸大于第二支撐部（2021）的尺寸；在所述第二槽體（102）的側壁分別對稱設置第五參考電極（212）和第六參考電極（222），第一參考電極（211）和第五參考電極（212）相對設置，第二參考電極（221）和第六參考電極（222）相對設置。

3.如權利要求1所述的多補償結構的高精度電容式壓力傳感器，其特征是：在所述中部通槽（201）的右側設置右部通槽（203），在右部通槽（203）中設置參考膜片（43），參考膜片（43）與右部通槽（203）的側壁氣密連接，在參考膜片（43）的上表面設置第三支撐部（2031），在參考膜片（43）的下表面設置參考受力島（6），在第三支撐部（2031）的兩側分別對稱設置第三參考電極（311）和第四參考電極（321）；在所述上基底（100）的下表面對應于第三支撐部（2031）的位置設有第三槽體（103），第三槽體（103）的尺寸大于第三支撐部（2031）的尺寸；在所述第三槽體（103）的側壁分別對稱設置第七參考電極（312）和第八參考電極（322），第三參考電極（311）和第七參考電極（312）相對設置，第四參考電極（321）和第八參考電極（322）相對設置。

4.如權利要求3所述的多補償結構的高精度電容式壓力傳感器，其特征是：所述參考膜片（43）的寬度小于可動膜片（41）的寬度。

5.如權利要求1所述的多補償結構的高精度電容式壓力傳感器，其特征是：在所述上基底（100）上分別設置第三檢測電極（112）和第四檢測電極（122）的電極引線孔。

6.如權利要求2所述的多補償結構的高精度電容式壓力傳感器，其特征是：在所述上基底（100）上分別設置第五參考電極（212）和第六參考電極（222）的電極引線孔。

7.如權利要求3所述的多補償結構的高精度電容式壓力傳感器，其特征是：在所述上基底（100）上分別設置第七參考電極（312）和第八參考電極（322）的電極引線孔。

8.如權利要求1所述的多補償結構的高精度電容式壓力傳感器，其特征是：所述上基底（100）和下基底（200）為硅基底。