[發明專利]一種氮化硅涂層醫用鎂合金材料及制備方法

無效

• 申請號: 201310186028.4
• 申請日: 2013-05-17
• 公開（公告）號: CN103239761A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 劉德寶;唐懷超;宋融
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: A61L31/08
• 分類號: A61L31/08;A61L31/02;B32B15/04;C23C14/06;C23C16/34
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種氮化硅涂層醫用鎂合金材料，其特征在于：由鎂合金基材和在其表面附有的氮化硅涂層構成。

2.一種如權利要求1所述氮化硅涂層醫用鎂合金材料是制備方法，其特征在于步驟如下：

1）將鎂合金試樣打磨、拋光、除油后，進行噴砂處理以去除表面氧化皮、增加表面粗糙度和涂層和增強鎂合金基體與涂層接合的牢固度；

2）將經上述處理后的鎂合金試樣采用射頻等離子體增強化學氣相沉積法或粒子束沉積法，在鎂合金試樣表面制備氮化硅陶瓷涂層。

3.根據權利要求2所述氮化硅涂層醫用鎂合金材料是制備方法，其特征在于：所述射頻等離子體增強化學氣相沉積法的工藝參數為：將鎂合金試樣放入射頻等離子體增強化學氣相沉積設備的內腔沉積室中，系統抽至真空度為1×10^-4-1×10^-5Pa，以SiH₄和NH₃或N₂混合氣為反應氣源，沉積溫度為150-450℃、射頻功率為80-400W的條件下，沉積時間為10s-60min，冷卻后在合金表面制得氮化硅陶瓷涂層。

4.根據權利要求2所述氮化硅涂層醫用鎂合金材料是制備方法，其特征在于：所述SiH₄和NH₃或N₂混合氣中SiH₄的流量為10-100sccm；SiH₄和NH₃或N₂流量比l：0.2-1。

5.根據權利要求2所述氮化硅涂層醫用鎂合金材料是制備方法，其特征在于：所述粒子束沉積法的工藝參數為：將鎂合金試樣放入粒子束沉積設備中，以塊狀氮化硅作為靶材，在真空度為1×10^-5Pa下，用氬離子轟擊后再高溫熱處理，氬離子轟擊電壓為10-100KeV，氬離子的密度為（1-5）×10¹⁶ions/cm³，熱處理溫度為200-450℃，熱處理時間為2-12h。