[發(fā)明專利]新的丙烯酸類單體、聚合物以及包含該聚合物的抗蝕劑組合物有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310183634.0 | 申請日: | 2013-05-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103772341A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓俊熙;徐東轍;安浩益;金鎮(zhèn)伯;趙英旭;申漢杰 | 申請(專利權(quán))人: | 錦湖石油化學(xué)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C07D311/94 | 分類號(hào): | C07D311/94;C08F220/28;C08F232/08;G03F7/004;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 丙烯酸 單體 聚合物 以及 包含 抗蝕劑 組合 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種利用光刻技術(shù)形成圖案時(shí)有用的新的丙烯酸類單體、聚合物以及包含該聚合物的抗蝕劑組合物。
背景技術(shù)
近來,光刻(lithography)技術(shù)正在積極進(jìn)行采用ArF液浸曝光技術(shù)(immersion)的大批量制造(high?volumn?manufacturing,HVM),主要進(jìn)行實(shí)現(xiàn)50nm以下線寬的技術(shù)開發(fā)。特別是,作為用于實(shí)現(xiàn)30nm線寬的接觸孔(contact?hole)圖案的方法,正在積極進(jìn)行負(fù)調(diào)開發(fā)(negative-tone?development,NTD)研究。
NTD方式與現(xiàn)有的正調(diào)開發(fā)(positive-tone?development,PTD)方式不同,作為顯影劑溶液使用有機(jī)溶劑。即,與在曝光部位生成酸而使酸不穩(wěn)定基團(tuán)(acid-labile?group)脫保護(hù)(deprotection)并用四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium?hydroxide,TMAH)顯影劑溶液沖洗的現(xiàn)有PTD方式不同,NTD方式,雖然在曝光部位生成酸而使酸不穩(wěn)定基團(tuán)脫保護(hù)的方式相同,然而,通過這種脫保護(hù)從疏水性轉(zhuǎn)換成親水性的曝光部位對于作為顯影劑溶液的有機(jī)溶劑的溶解度降低,而相反,非曝光部位保持之前的疏水性,從而被有機(jī)溶劑的顯影劑溶液沖洗掉。即,NTD方式的最大區(qū)別在于非曝光部位被顯影劑溶液沖洗掉。
已有報(bào)道出很多這種NTD方式實(shí)現(xiàn)線寬40nm以下的接觸孔圖案確實(shí)有優(yōu)勢。然而,這種NTD方式存在在曝光部位形成圖案部分的厚度降低的問題,由此導(dǎo)致在后續(xù)的蝕刻工藝中光致抗蝕劑的抗蝕刻性下降。即,在曝光部位由于酸(acid)的脫保護(hù)(deprorection)而脫離的官能團(tuán)易溶于用作顯影劑溶液的有機(jī)溶劑中,由此剩余圖案的厚度降低。
因此,正在積極進(jìn)行解決這些問題的研究。
【在先技術(shù)文獻(xiàn)】
【專利文獻(xiàn)】
專利文獻(xiàn)1:韓國特許公開第2010-0017783號(hào)(2010.02.16公開)
專利文獻(xiàn)2:韓國特許公開第2011-0136796號(hào)(2011.12.21公開)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于,提供一種利用光刻技術(shù)形成圖案、特別是以NPD方式形成圖案時(shí)防止厚度降低以及其導(dǎo)致的抗蝕劑的抗蝕刻性下降,從而有用于形成具有優(yōu)異的敏感度和分辨率的精細(xì)抗蝕劑圖案的新的丙烯酸類單體。
本發(fā)明的另一目的在于,提供一種包含有從上述丙烯酸類單體衍生的重復(fù)單元的抗蝕劑聚合物。
本發(fā)明的又另一目的在于,提供一種包含有上述聚合物的抗蝕劑組合物。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的丙烯酸類單體由下述化學(xué)式1表示。
[化學(xué)式1]
在上述化學(xué)式1中,
R1和R2是各自獨(dú)立地選自氫原子、含1-10個(gè)碳原子的烷基、含1-10個(gè)碳原子的烷氧基和它們的組合所組成的組中的任一個(gè);
R3是選自氫原子、含1-10個(gè)碳原子的烷基、含3-30個(gè)碳原子的環(huán)烷基和它們的組合所組成的組中的任一個(gè);以及
n是1至5的整數(shù)。
優(yōu)選,上述R1和R2是各自獨(dú)立地選自氫原子、含1-4個(gè)碳原子的烷基和含1-4個(gè)碳原子的烷氧基所組成的組中的任一個(gè),R3是選自氫原子、含1-4個(gè)碳原子的烷基、含3-14個(gè)碳原子的一環(huán)環(huán)烷基、含8-18個(gè)碳原子的二環(huán)環(huán)烷基、含10-30個(gè)碳原子的三環(huán)環(huán)烷基、含10-30個(gè)碳原子的四環(huán)環(huán)烷基和它們的組合所組成的組中的任一個(gè),而且,n可以是1至3的整數(shù)。
更優(yōu)選,上述丙烯酸類單體可以是具有下述化學(xué)式1a的結(jié)構(gòu)的化合物。
[化學(xué)式1a]
根據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施例,提供一種包含有具有下述化學(xué)式4的結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元的抗蝕劑聚合物。
[化學(xué)式4]
在上述化學(xué)式4中,
R1和R2是各自獨(dú)立地選自氫原子、含1-10個(gè)碳原子的烷基、含1-10個(gè)碳原子的烷氧基和它們的組合所組成的組中的任一個(gè);
R3是選自氫原子、含1-10個(gè)碳原子的烷基、含3-30個(gè)碳原子的環(huán)烷基和它們的組合所組成的組中的任一個(gè);以及
n是1至5的整數(shù)。
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