[發明專利]用于帶隙基準的二階曲率溫度補償電路

有效

• 申請號: 201310183175.6
• 申請日: 2013-05-17
• 公開（公告）號: CN103294099A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 明鑫;茍超;李涅;許天輝;張其營;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德

1.用于帶隙基準的二階曲率溫度補償電路，包括，PMOS管：M15、M16、M17、M18、M19，NMOS管：M20、M21；其中，M15的柵極連接經過部分一階溫度補償的帶隙基準電壓信號，并作為所述二階曲率補償電路的輸入端，M15的源極與襯底相連并連接M17的漏極、M18的漏極以及M16的源極，M15的漏極連接地電位；M17的柵極連接正溫電流源的輸出節點，M17的源極連接電源電壓；M18的柵極連接負溫電流源的輸出節點并與M19的柵極相連，M18的源極連接電源電壓；M16的柵極和漏極相連并連接M20的漏極，作為所述二階曲率補償電路的輸出端；M19的漏極連接M21的柵極和漏極以及M20的柵極，M19的源極連接電源電壓；M20和M21的源極均連接地電位。

2.根據權利要求1所述的用于帶隙基準的二階曲率溫度補償電路，其特征在于，所述正溫電流源包括，PMOS管：M00、M4、M5，NMOS管：M0、M1、M2、M3，PNP型三極管：Q1、Q2、Q3；其中，M00的柵極為正溫電流源的輸出節點，M00的柵極的與漏極相連，并且連接M0的漏極、M5的柵極和M4的柵極，M00的源極連接電源電壓；M0的柵極連接M5的漏極和M3的漏極，M0的源極連接Q3的發射極；M5的源極連接電源電壓；M4的漏極連接M2的漏極和柵極、M3的柵極以及M1的柵極，M4的源極連接電源電壓；M3的源極連接Q2的發射極；Q3的集電極與基極均連接地電位；M2的源極連接M1的漏極；M1的源極連接Q1的發射極；Q2、Q1的集電極與基極均連接地電位。

3.根據權利要求1所述的用于帶隙基準的二階曲率溫度補償電路，其特征在于，所述負溫電流源包括，PMOS管：M10，M11、M14，NMOS管：M6、M7、M8、M9、M12、M13；其中M14的柵極為負溫電流源的輸出節點，M14的柵極與漏極相連，并且連接M13的漏極、M10的柵極和M11的柵極，M14的源極連接電源電壓；M13的柵極連接M10的漏極和M8的漏極，M13的源極連接M12的漏極和柵極；M10的源極連接電源電壓；M11的漏極連接M9的漏極和柵極、M8的柵極以及M7的柵極，M11的源極連接電源電壓；M8的源極連接M6的漏極和柵極；M9的源極連接M7的漏極；M6、M7、M12的源極均連接地電位。