[發明專利]用于生長金屬雙晶的坩堝

無效

• 申請號: 201310183022.1
• 申請日: 2013-05-17
• 公開（公告）號: CN104164699A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: 刁千順;蔣衛斌;孔慶平;蔡民;劉長松;方前鋒
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于生長金屬雙晶的坩堝，坩堝主體包括用于生長晶體的直體部分、底壁和設置于所述底壁上的籽晶孔，所述籽晶孔為通孔，且其靠近所述底壁的端部的橫截面積不小于所述籽晶孔遠離所述底壁的端部的橫截面積，其特征在于所述直體部分為兩個緊密排列的直筒段，并形成8字型橫截面的坩堝內壁，且對應地設有兩個籽晶孔，所述兩個直筒段與所述兩個籽晶孔對應同軸分布。

2.根據權利要求1所述的用于生長金屬雙晶的坩堝，其特征在于還包括一端有底的套筒，所述套筒套緊于所述籽晶孔遠離所述底壁的一端。

3.根據權利要求2所述的用于生長金屬雙晶的坩堝，其特征在于所述坩堝主體由完全對稱的兩部分緊扣拼接而成，并由所述套筒固定。

4.根據權利要求2所述的用于生長金屬雙晶的坩堝，其特征在于所述套筒具有內螺紋，所述坩堝主體的底部具有與所述套筒的內螺紋相配合的外螺紋，所述套筒與所述坩堝主體螺紋連接。

5.根據權利要求2所述的用于生長金屬雙晶的坩堝，其特征在于所述坩堝主體和/或所述套筒為石墨材質。

6.根據權利要求1所述的用于生長金屬雙晶的坩堝，其特征在于所述直體部分的直筒段為圓柱形，所述籽晶孔的通孔為長方體。

7.根據權利要求6所述的用于生長金屬雙晶的坩堝，其特征在于所述籽晶孔的橫截面形狀為正方形。

8.根據權利要求3所述的用于生長金屬雙晶的坩堝，其特征在于所述籽晶孔的橫截面的最大直徑范圍為2mm～40mm。

9.根據權利要求3所述的用于生長金屬雙晶的坩堝，其特征在于所述籽晶孔的深度范圍為5mm～80mm。

10.根據權利要求1所述的用于生長金屬雙晶的坩堝，其特征在于所述直筒段與所述籽晶孔通過錐形面連通。