[發明專利]低溫多晶硅薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 201310182928.1 | 申請日： | 2013-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN104167349A | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發明（設計）人： | 彭思君;吳建宏;劉沖;嚴曉龍 | 申請（專利權）人： | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201506 上海市金山區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低溫 多晶 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
提供一襯底；
在所述襯底上制備非晶硅層；
采用等離子體工藝于所述非晶硅層上制備氧化硅層；
對所述非晶硅層進行激光多晶硅化工藝。
2.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底包括基板和緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述基板的上表面，所述非晶硅層覆蓋所述緩沖層的上表面。
3.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述氧化硅層的厚度為
4.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述等離子體工藝包括等離子體增強化學氣相沉積工藝。
5.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝制備所述非晶硅層。
6.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述基板的材質為玻璃。
7.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，采用準分子激光回火設備進行所述激光多晶硅化工藝。
8.如權利要求1-7中任意一項所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述等離子體工藝為采用含氧等離子體對所述非晶硅層進行氧化處理，以制備所述氧化硅層。
9.如權利要求9所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述含氧等離子體包括含N2O和/或NO和/或O2的等離子體。
10.如權利要求1-7中任意一項所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述等離子體工藝為采用含氧的等離子體和含硅的等離子體共同作用，以于所述非晶硅層的上表面沉積所述氧化硅層。
11.如權利要求10所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述含氧等離子體包括含N2O和/或NO和/或O2的等離子體。
12.如權利要求10所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述含硅等離子體包括含SiH4和/或TEOS的等離子體。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
