[發明專利]光掩模坯料及其制造方法、光掩模、圖案轉印方法及濺射裝置有效
| 申請號: | 201310182559.6 | 申請日: | 2013-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN103424984B | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 吉川博樹;深谷創一;稻月判臣;中川秀夫 | 申請(專利權)人: | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/62 | 分類號: | G03F1/62 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 金龍河;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模 坯料 及其 制造 方法 圖案 濺射 裝置 | ||
1.一種光掩模坯料的制造方法,其為在透明襯底上具備至少一層功能性膜的光掩模坯料的制造方法,其特征在于,
所述功能性膜由含有鉻元素和選自銦、錫、鉍、鉈、鋰、鈉、鉀和汞中的一種以上的金屬元素的鉻系材料構成,
在形成所述功能性膜的工序中,使鉻靶即靶A和以至少一種所述金屬元素作為主要成分的靶即靶B同時濺射,即,使靶A和靶B共濺射,
將所述靶A的總表面積設為SA、將所述靶B的總表面積設為SB時,使SB<SA,
并且使所述總表面積SA與SB之比即SB/SA為0.7以下,
對所述靶A供給的功率密度為0.5W/cm2以上且20.0W/cm2以下,對所述靶B供給的功率密度為5W/cm2以上且20.0W/cm2以下。
2.如權利要求1所述的光掩模坯料的制造方法,其中,在所述功能性膜的成膜工序中,所述靶A和靶B中的至少一種使用多個。
3.如權利要求1所述的光掩模坯料的制造方法,其中,使所述總表面積SA與SB之比即SB/SA為0.01以上。
4.如權利要求1~3中任一項所述的光掩模坯料的制造方法,其中,所述功能性膜包含遮光膜、防反射膜、蝕刻掩模膜和蝕刻阻擋膜中的至少一種。
5.如權利要求1~3中任一項所述的光掩模坯料的制造方法,其中,所述功能性膜包含遮光膜或防反射膜的任意一種。
6.如權利要求1~3中任一項所述的光掩模坯料的制造方法,其中,所述功能性膜為遮光膜。
7.一種光掩模坯料,通過權利要求1~3中任一項所述的方法制造,其特征在于,所述功能性膜中鉻元素Cr和選自銦、錫、鉍、鉈、鋰、鈉、鉀和汞中的一種以上的金屬元素Me的含有比率即[Me]/[Cr]以原子比計為0.7以下。
8.一種光掩模,其通過在權利要求7所述的光掩模坯料上形成圖案而得到。
9.一種圖案轉印方法,其中,使用權利要求8所述的光掩模進行曝光,從而將所述圖案轉印到光致抗蝕劑上。
10.一種濺射裝置,其特征在于,
具備鉻靶即靶A和以選自銦、錫、鉍、鉈、鋰、鈉、鉀和汞中的一種以上的金屬元素作為主要成分的靶即靶B作為分開的成膜用靶,
對所述成膜用靶獨立地供給功率,
所述靶B的表面積SB被設計得比所述靶A的表面積SA小,
所述靶B的總表面積SB與所述靶A的總表面積SA之比即SB/SA為0.01以上且0.7以下,
對所述靶A供給的功率密度為0.5W/cm2以上且20.0W/cm2以下,對所述靶B供給的功率密度為5W/cm2以上且20.0W/cm2以下。
11.如權利要求10所述的濺射裝置,其特征在于,所述靶A和靶B中的至少一種配置有多個。
12.如權利要求10或11所述的濺射裝置,其特征在于,
所述濺射裝置具備以能夠在面內旋轉的方式構成的支架,
濺射成膜用襯底以成膜面與所述靶的表面相對的狀態保持于所述支架上。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





