[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310182466.3
• 申請(qǐng)日: 2013-05-16
• 公開（公告）號(hào): CN103996651B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊士?jī)|;李明翰;李香寰;吳憲昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

提供包括形成在第一絕緣材料中的導(dǎo)電部件和設(shè)置在所述第一絕緣材料上方的第二絕緣材料的工件，所述第二絕緣材料具有在所述導(dǎo)電部件上方的開口；

在所述第二絕緣材料中的所述開口內(nèi)的所述導(dǎo)電部件的暴露頂面上方形成基于石墨烯的導(dǎo)電層；

在所述第二絕緣材料中的所述開口的側(cè)壁上方形成基于碳的粘合層；以及

在圖案化的所述第二絕緣材料中的所述基于石墨烯的導(dǎo)電層和所述基于碳的粘合層上方形成碳納米管（CNT）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：同時(shí)形成所述基于石墨烯的導(dǎo)電層和所述基于碳的粘合層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述基于石墨烯的導(dǎo)電層和形成所述基于碳的粘合層包括氣相生長(zhǎng)工藝。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述基于石墨烯的導(dǎo)電層和形成所述基于碳的粘合層包括選自基本由化學(xué)汽相沉積（CVD）、常壓CVD（APCVD）、次大氣壓力下的低壓CVD（LPCVD）、等離子體增強(qiáng)CVD（PECVD）、原子層CVD（ALCVD）及它們的組合所構(gòu)成的組中的工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述基于石墨烯的導(dǎo)電層包括：形成多個(gè)石墨烯薄片（GS）。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述基于碳的粘合層包括：形成無(wú)定形碳。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述基于石墨烯的導(dǎo)電層包括：形成第一基于石墨烯的導(dǎo)電層，并且所述方法進(jìn)一步包括：在所述CNT的頂面上形成第二基于石墨烯的導(dǎo)電層。

8.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在工件上方形成第一絕緣材料；

在所述第一絕緣材料中形成導(dǎo)電部件；

在所述導(dǎo)電部件和所述第一絕緣材料上方形成第二絕緣材料；

圖案化所述第二絕緣材料，以暴露所述導(dǎo)電部件的頂面的一部分；

在所述導(dǎo)電部件的暴露頂面上方形成基于石墨烯的導(dǎo)電層并且同時(shí)在圖案化的第二絕緣材料的側(cè)壁上形成基于碳的粘合層；以及

在所述圖案化的第二絕緣材料中的所述基于石墨烯的導(dǎo)電層和所述基于碳的粘合層上方形成多個(gè)碳納米管（CNT）。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述導(dǎo)電部件包括：鑲嵌工藝和金屬蝕刻工藝。

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

工件，包括設(shè)置在第一絕緣材料中的導(dǎo)電部件和設(shè)置在所述第一絕緣材料上方的第二絕緣材料，所述第二絕緣材料具有在所述導(dǎo)電部件上方的開口；

基于石墨烯的導(dǎo)電層，在所述第二絕緣材料中的所述開口內(nèi)設(shè)置在所述導(dǎo)電部件的暴露頂面上方；

基于碳的粘合層，設(shè)置在所述第二絕緣材料中的所述開口的側(cè)壁上方；以及

碳納米管（CNT），在圖案化的第二絕緣材料內(nèi)設(shè)置在所述基于石墨烯的導(dǎo)電層和所述基于碳的粘合層上方。