[發(fā)明專利]一種充電裝置及充電方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310181894.4 | 申請日: | 2013-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN104167768A | 公開(公告)日: | 2014-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉可靖 | 申請(專利權(quán))人: | 中興通訊股份有限公司 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00;H02M3/155 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 張振偉;王黎延 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 充電 裝置 方法 | ||
1.一種充電裝置,其特征在于,所述裝置包括充電電路、儲能電路和控制開關(guān);
所述充電電路,用于對待充電對象進(jìn)行充電;
所述儲能電路,用于在所述充電電路對所述待充電對象充電時(shí)進(jìn)行儲能,并在所述充電電路處于斷開狀態(tài)時(shí),對所述待充電對象進(jìn)行充電;
所述控制開關(guān),用于根據(jù)周期性地接收到的控制指令交替接通、斷開所述充電電路,并在接通所述充電電路時(shí)斷開所述儲能電路,在斷開所述充電電路時(shí)接通所述儲能電路;
所述儲能電路包括:限流電容、限流電阻、第一儲能電容、第二儲能電容、第三儲能電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一穩(wěn)壓管、第二穩(wěn)壓管、第一二極管、第二二極管,晶體三級管、MOSFET;
其中,所述限流電容的一端與控制開關(guān)的一端連接,另一端分別與所述限流電阻和所述第一二極管的正極端連接,所述限流電阻的另一端與所述第一穩(wěn)壓管的負(fù)極端連接,所述第一穩(wěn)壓管的正極端分別與所述第一電阻的一端以及晶體三級管的一端連接,所述第一電阻的一端與充電電源的負(fù)極連接,所述第一二極管的負(fù)極端分別與所述第一儲能電容的一端、第二電阻一端、第三電阻一端、第二二極管的負(fù)極端連接,所述第一儲能電容的另一端接所述充電電源的負(fù)極,所述晶體三級管的第三端接所述充電電源的負(fù)極,所述MOSFET的集電極與所述第三電阻的一端連接,所述MOSFET的發(fā)射極分別于所述第二電阻的一端以及第二穩(wěn)壓管的負(fù)極端連接,所述第二穩(wěn)壓管的正極端接所述充電電源的負(fù)極,所述MOSFET的基極分別于所述第二二極管的正極端、所述第二儲能電容的一端以及所述第三儲能電容的一端連接,所述第二儲能電容的另一端以及所述第三儲能電容的另一端均與所述充電電源的負(fù)極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述儲能電路包括儲能濾波電感、儲能濾波電容和整流二極管;其中,
所述儲能濾波電容的一端連接所述儲能濾波電感的一端,另一端與所述充電電源的負(fù)極連接;所述儲能濾波電感的另一端通過所述控制開關(guān)與所述充電電源的正極連接,并通過所述整流二極管與所述充電電源的負(fù)極連接;其中,所述整流二極管對所述充電電源正極至負(fù)極方向截止。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其特征在于,所述控制開關(guān)為晶體管功率開關(guān);
所述儲能濾波電感的另一端通過所述控制開關(guān)與所述充電電源的正極連接,為:所述儲能濾波電感的另一端與所述晶體管功率開關(guān)的集電極連接,所述晶體管功率開關(guān)的發(fā)射極與所述充電電源的正極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,所述儲能電路進(jìn)行儲能,包括:
在所述晶體管功率開關(guān)導(dǎo)通時(shí),所述儲能濾波電感抑制超過預(yù)設(shè)門限值的電流流經(jīng)所述儲能濾波電感,并將流經(jīng)所述儲能濾波電感的電流轉(zhuǎn)化成磁能進(jìn)行能量存儲;所述儲能濾波電容將流經(jīng)所述儲能濾波電感的部分電流轉(zhuǎn)化成電荷進(jìn)行電荷存儲;
所述儲能電路對所述待充電對象充電,包括:
在所述晶體管功率開關(guān)關(guān)斷時(shí),所述儲能濾波電感將存儲的磁能轉(zhuǎn)換成電流,并經(jīng)所述整流二極管繼續(xù)對所述待充電對象充電;所述儲能濾波電容將存儲的電荷轉(zhuǎn)換成電流繼續(xù)對所述待充電對象充電。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述儲能電路進(jìn)行儲能,包括:
在所述控制開關(guān)導(dǎo)通時(shí),所述第二儲能電容與所述第三儲能電容利用所述第二穩(wěn)壓管、所述第二電阻、所述第三電阻及所述MOSFET形成的回路進(jìn)行電荷存儲;
所述儲能電路對所述待充電對象充電,包括:
在所述控制開關(guān)關(guān)斷時(shí),所述第二儲能電容與所述第三儲能電容利用所述第二二極管、所述第二電阻、所述第三電阻及所述MOSFET形成的回路對所述待充電對象充電。
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