[發明專利]一種SiCOH薄膜及其制備方法有效
| 申請號: | 201310181432.2 | 申請日: | 2013-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN103258734A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 丁士進;丁子君;譚再上;張衛 | 申請(專利權)人: | 復旦大學 |
| 主分類號: | H01L21/314 | 分類號: | H01L21/314;H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陸飛;盛志范 |
| 地址: | 200433 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 sicoh 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.?一種SiCOH薄膜的制備方法,其特征在于具體步驟如下:
(1)將前驅體、成孔劑、催化劑、H2O,以及溶劑混合,在40-80℃下攪拌0.5-10小時,得到透明成膜液;其中,前驅體為三甲氧基[2-(7-氧雜二環[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷,成孔劑為P123,催化劑為HCl,溶劑為乙醇;
(2)在16~40℃下,將上述成膜液旋涂成厚度為200-500nm的薄膜,旋涂速率為2500-4000rpm轉/分鐘,旋轉時間為25-50秒;薄膜靜置10-60分鐘,然后移入40-80℃烘箱陳化10-80小時;
(3)將陳化后的薄膜在250-500℃的氮氣或N2/H2混合氣氣氛中退火1-10小時。
2.?根據權利要求1所述制備方法,其特征在于所述步驟(1)中成膜液各組分摩爾比為:
前驅體:P123:HCl:H2O:?乙醇?=?6-7:0.01-0.02:0.1-0.2:150-250:100-200。
3.?根據權利要求2所述制備方法,其特征在于所述成膜液中溶劑為乙醇,成膜液濃度為40-60wt%。
4.?如權利要求1所述制備方法制備得到的SiCOH薄膜,其熱穩定性達420℃,介電常數為3.8-4.1。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





