[發(fā)明專利]片狀結(jié)構(gòu)、片狀結(jié)構(gòu)的制造方法及電子器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310181339.1
• 申請(qǐng)日: 2013-05-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103426842A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山口佳孝;作山誠(chéng)樹(shù);水野義博;巖井大介;崎田幸惠;乘松正明;淺野高治;廣瀨真一;八木下洋平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士通株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/373
• 分類號(hào): H01L23/373;H01L23/433
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 金鵬;陳昌柏

1.一種片狀結(jié)構(gòu)，包括：

束結(jié)構(gòu)，包括取向?yàn)轭A(yù)定方向的由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)；

覆蓋層，覆蓋所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)；

填充層，設(shè)置在被所述覆蓋層覆蓋的所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)之間；

其中，所述覆蓋層的厚度在與所述預(yù)定方向交叉的方向上是不均勻的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片狀結(jié)構(gòu)，其中，響應(yīng)于在所述預(yù)定方向上給定的形變而提供彈性。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片狀結(jié)構(gòu)，其中，所述片狀結(jié)構(gòu)的厚度是不一致的，并且

在所述片狀結(jié)構(gòu)較厚的部分中所述覆蓋層的厚度大于在所述片狀結(jié)構(gòu)較薄的部分中所述覆蓋層的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片狀結(jié)構(gòu)，其中，所述覆蓋層的導(dǎo)熱率高于所述束結(jié)構(gòu)的每單位面積的導(dǎo)熱率。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片狀結(jié)構(gòu)，其中，所述覆蓋層的厚度是100nm或更小。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片狀結(jié)構(gòu)，其中，所述束結(jié)構(gòu)中所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)的表面密度是1×10¹⁰或更大。

7.一種電子器件，包括：

發(fā)熱構(gòu)件；

散熱構(gòu)件；以及

片狀結(jié)構(gòu)，包括：

束結(jié)構(gòu)，包括取向?yàn)轭A(yù)定方向的由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)；

覆蓋層，覆蓋所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)；以及

填充層，設(shè)置在被所述覆蓋層覆蓋的所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)之間；

所述覆蓋層的厚度在與所述預(yù)定方向交叉的方向上是不均勻的，并且所述片狀結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述發(fā)熱構(gòu)件和所述散熱構(gòu)件之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子器件，其中，所述發(fā)熱構(gòu)件和所述散熱構(gòu)件之間的距離是不一致的，并且

所述散熱構(gòu)件和所述發(fā)熱構(gòu)件之間的距離較長(zhǎng)的部分中所述覆蓋層的厚度大于所述發(fā)熱構(gòu)件和所述散熱構(gòu)件之間的距離較短的部分中所述覆蓋層的厚度。

9.一種片狀結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

在襯底上形成取向?yàn)轭A(yù)定方向的由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)；

形成用于覆蓋所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)的覆蓋層，使得所述覆蓋層的厚度在與所述預(yù)定方向交叉的方向上是不均勻的；

在被所述覆蓋層覆蓋的所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)之間的間隙中形成填充層；以及

從所述襯底剝離所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的片狀結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，在所述覆蓋層的形成過(guò)程中，布置板以覆蓋所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)的一部分，并通過(guò)原子層沉積來(lái)形成所述覆蓋層。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的片狀結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，在所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)的形成過(guò)程中，所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)形成為提供一沒(méi)有在所述襯底上形成所述線性結(jié)構(gòu)的區(qū)域，以及

在所述覆蓋層的形成過(guò)程中，通過(guò)使用原子層沉積來(lái)形成所述覆蓋層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的片狀結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，在所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)的形成過(guò)程中，所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)形成在所述襯底上，并且將所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)的一部分從所述襯底移除。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的片狀結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，在所述覆蓋層的形成過(guò)程中，所述覆蓋層形成為使得包括形成在所述襯底上的所述由碳制成的多個(gè)線性結(jié)構(gòu)的束結(jié)構(gòu)響應(yīng)于施加在所述預(yù)定方向上的外力而具有彈性。