[發明專利]基于狹縫光波導外延型光柵FP腔光學生化傳感芯片

有效

• 申請號: 201310181204.5
• 申請日: 2013-05-16
• 公開（公告）號: CN103293129A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 王卓然;袁國慧;高亮
• 申請（專利權）人: 成都譜視科技有限公司
• 主分類號: G01N21/45
• 分類號: G01N21/45
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 周永宏

1.基于狹縫光波導外延型光柵FP腔光學生化傳感芯片，包括自下而上依次層疊鍵合的硅基層、二氧化硅層和單晶硅層構成的基體，其特征在于，所述基體的單晶硅層包含狹縫光波導，所述狹縫光波導的光傳播路徑上包含光柵FP腔，基體俯視方向為長方形，所述光柵FP腔的光柵為外延型光柵，位于長方形基體外側，為外凸型齒狀光柵。

2.根據權利要求1所述的基于狹縫光波導外延型光柵FP腔光學生化傳感芯片，其特征在于，所述狹縫光波導的狹縫為值狹縫。

3.根據權利要求1所述的基于狹縫光波導外延型光柵FP腔光學生化傳感芯片，其特征在于，所述狹縫光波導的狹縫為垂直于單晶硅層表面由單晶硅層向下刻蝕形成的狹縫。

4.根據權利要求1至3之任一項權利要求所述的基于狹縫光波導外延型光柵FP腔光學生化傳感芯片，其特征在于，所述狹縫光波導的狹縫深度為單晶硅層厚度。

5.根據權利要求1所述的基于狹縫光波導外延型光柵FP腔光學生化傳感芯片，其特征在于，所述狹縫槽寬度為80nm～120nm。

6.根據權利要求1所述的基于狹縫光波導外延型光柵FP腔光學生化傳感芯片，其特征在于，所述光柵FP腔包括第一光柵和第二光柵，第一光柵和第二光柵均刻蝕于狹縫光波導上，所述第一光柵和第二光柵相隔一定的距離d，且第一光柵和第二光柵具有相同的結構，并在狹縫光波導上形成光柵FP腔。

7.根據權利要求1、2、3、5和6之任一項權利要求所述的基于狹縫光波導外延型光柵FP腔光學生化傳感芯片，其特征在于，所述的第一光柵或第二光柵包括不少于3個不多于25個周期單元。

8.根據權利要求7所述的基于狹縫光波導外延型光柵FP腔光學生化傳感芯片，其特征在于，所述光柵周期單元的周期為0.3um～0.6um之任一值。

9.根據權利要求8所述的基于狹縫光波導外延型光柵FP腔光學生化傳感芯片，其特征在于，所述光柵周期單元的占空比為40%～70%之任一值。

10.根據權利要求8或9所述的基于狹縫光波導外延型光柵FP腔光學生化傳感芯片，其特征在于，所述光柵周期單元的縱向長度占所述基體寬度的比例為70%～100%之任一值。