[發(fā)明專利]開關電路及用于操作開關電路的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310180591.0 | 申請日： | 2013-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN103427815A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | T·戴格爾;J·L·斯圖茲;科奈斯·P·斯諾登 | 申請（專利權(quán)）人： | 快捷半導體（蘇州）有限公司;快捷半導體公司 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;張穎玲 |
| 地址： | 215021 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 開關電路 用于 操作 方法 | ||
1.一種開關電路，包括：
耗盡型場效應晶體管DMFET，所述DMFET具有導通狀態(tài)和截止狀態(tài)，其中所述DMFET配置為在所述導通狀態(tài)下將第一節(jié)點連接到第二節(jié)點上并在所述截止狀態(tài)下將所述第一節(jié)點隔離于所述第二節(jié)點；
連接到所述DMFET的柵極端子上的負電荷泵，所述負電荷泵配置為向所述DMFET的所述柵極端子提供一負電荷泵電壓；以及
連接到所述負電荷泵上的負鑒別器，所述負鑒別器配置為將所述第一節(jié)點處的第一電壓與所述第二節(jié)點處的第二電壓進行比較，并基于所述比較來確定所述負電荷泵電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關電路，其中所述DMFET包括源極端子，并且其中所述負電荷泵配置為向所述柵極端子提供所述負電荷泵電壓，其中所述DMFET的所述柵極端子和所述源極端子之間的電壓小于所述DMFET的閾值電壓，以保證所述DMFET處于所述截止狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關電路，其中，所述負鑒別器配置為：
從電源電壓和所述第一節(jié)點處的所述第一電壓之中確定出一第一負電壓，其中，所述第一負電壓為所述電源電壓和所述第一電壓中的較低電壓；以及
從所述電源電壓和所述第二節(jié)點處的所述第二電壓之中確定出一第二負電壓，其中，所述第二負電壓為所述電源電壓和所述第二電壓中的較低電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的開關電路，其中，所述負鑒別器配置為：
從所述第一負電壓和所述第二負電壓之中確定出一第三負電壓，其中，所述第三負電壓為所述第一負電壓和所述第二負電壓之中的較低電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關電路，包括：
連接到柵極驅(qū)動電路上的正鑒別器，所述正鑒別器配置為從所述電源電壓和所述第一節(jié)點處的所述第一電壓之中確定出一第一正電壓，其中所述第一正電壓為所述電源電壓和所述第一電壓之中的較高電壓。
6.一種用于操作開關電路的方法，所述方法包括：
根據(jù)耗盡型場效應晶體管DMFET的第一節(jié)點處的第一電壓和所述DMFET的第二節(jié)點處的第二電壓的比較，確定出一負電荷泵電壓，其中所述DMFET具有導通狀態(tài)和截止狀態(tài)，其中所述DMFET配置為在所述導通狀態(tài)下將所述第一節(jié)點連接到所述第二節(jié)點上，并且其中所述DMFET配置為在所述截止狀態(tài)下將所述第一節(jié)點隔離于所述第二節(jié)點；
產(chǎn)生所述負電荷泵電壓；以及
向所述DMFET的柵極端子提供所述負電荷泵電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于操作開關電路的方法，其中確定出所述負電荷泵電壓由負鑒別器執(zhí)行，其中產(chǎn)生所述負電荷泵電壓由負電荷泵執(zhí)行，其中所述負電荷泵的輸出將所述負電荷泵電壓應用于所述DMFET的柵極端子上，并且其中所述DMFET為n型金屬氧化物半導體FET。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于操作開關電路的方法，其中所述DMFET包括源極端子，并且其中向所述DMFET的所述柵極端子提供所述負電荷泵電壓，包括：
向所述DMFET的所述柵極端子提供所述負電荷泵電壓，其中所述DMFET的所述柵極端子和所述源極端子之間的電壓低于所述DMFET的閾值電壓，以保證所述DMFET處于所述截止狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于操作開關電路的方法，其中，確定出負電荷泵電壓包括：
從電源電壓和所述第一節(jié)點處的所述第一電壓之中確定出一第一負電壓，其中，所述第一負電壓為所述電源電壓和所述第一電壓中的較低電壓；
從所述電源電壓和所述第二節(jié)點處的所述第二電壓之中確定出一第二負電壓，其中，所述第二負電壓為所述電源電壓和所述第二電壓中的較低電壓；以及
從所述第一電壓和所述第二電壓之中確定出一第三負電壓，其中，所述第三負電壓為所述第一負電壓和所述第二負電壓之中的較低電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于操作開關電路的方法，其中，所述DMFET包括源極端子，所述方法包括：
當所述DMFET處于所述導通狀態(tài)時，在所述柵極端子和所述源極端子之間提供一大體上恒定的電壓，其中，在所述柵極端子和所述源極端子之間提供一大體上恒定的電壓包括：
從電源電壓和所述第一節(jié)點處的第一電壓之中確定出一第一正電壓，其中，所述第一正電壓為所述電源電壓和所述第一電壓之中的較高電壓；以及
將所述第一正電壓應用于柵極驅(qū)動電路。
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