[發明專利]一種超高純硫酸制造方法

無效

• 申請號: 201310180543.1
• 申請日: 2013-05-16
• 公開（公告）號: CN104163403A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: 殷福華;朱龍;邵勇
• 申請（專利權）人: 江陰江化微電子材料股份有限公司
• 主分類號: C01B17/90
• 分類號: C01B17/90
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明設計一種硫酸的制造方法，具體涉及一種超高純硫酸的制造方法。

背景技術

濕電子化學品主要應用于集成電路和分立器件、晶體硅太陽能和平板顯示等領域的生產制造過程之中，目前現有的濕電子化學品尤其是硫酸的精度不高，純度無法達到PPT等級，不能適合極大規模集成電路的生產工藝流程。

發明內容

針對以上不足，本發明提供一種極大規模集成電路用的超高純硫酸的制備方法。本發明的技術方案如下：

一種超高純硫酸制造方法，所述超高純硫酸的制作步驟如下：

(1)將工業硫酸經過氧化處理，并進行沉淀分離，澄清硫酸；

(2)將步驟(1)澄清的硫酸反倒入連續精餾處理系統，做電加熱連續精餾處理；

(3)將步驟(2)精餾過的硫酸反倒入超凈過濾純凈系統做超凈過濾、超凈分裝。

一種超高純硫酸制造方法，步驟(2)所述加熱精餾系統的溫度為330℃±10℃。

一種超高純硫酸制造方法的技術方案中，連續精餾設備為石英為材質。采用連續蒸餾技術，旨在取出硫酸中的金屬雜質。

一種超高純硫酸制造方法的技術方案中，采用超凈過濾系統和超凈罐裝系統，旨在排除二次污染。

與現有技術相比，本發明提供的一種超高純硫酸的制備方法，其等級達到PPT等級，生產出含量95-97％、金屬雜質控制在1PPb以內，完全滿足極大規模集成電路的生產制造。

具體實施方式

下面通過實施例描述本發明，但不限于所舉實施例。

本發明提供一種極大規模集成電路用的超高純硫酸的制備方法。本發明的技術方案如下：

一種超高純硫酸制造方法，其超高純硫酸的制作步驟如下：

(1)將工業硫酸經過氧化處理，并進行沉淀分離，澄清硫酸；

(2)將步驟(1)澄清的硫酸反倒入連續精餾處理系統，做電加熱連續精餾處理；

(3)將步驟(2)精餾過的硫酸反倒入超凈過濾純凈系統做超凈過濾、超凈分裝。

一種超高純硫酸制造方法，其步驟(2)中所述加熱精餾系統的溫度為330℃±10℃。

一種超高純硫酸制造方法的技術方案中，連續精餾設備為石英為材質。采用連續蒸餾技術，旨在取出硫酸中的金屬雜質。

一種超高純硫酸制造方法的技術方案中，采用超凈過濾系統和超凈罐裝系統，旨在排除二次污染。

本發明提供的一種超高純硫酸的制備方法，其等級達到PPT等級，生產出含量95-97％、金屬雜質控制在1PPb以內，完全滿足極大規模集成電路的生產制造。