[發(fā)明專利]用于熱處理襯底上形成的結(jié)構(gòu)的方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310180448.1
• 申請(qǐng)日: 2007-02-23
• 公開（公告）號(hào): CN103295896A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·馬耀;M·楊;A·巴拉克里希納;P·凱里;D·詹寧斯;S·莫法特;W·謝弗;A·N·雷納;T·N·托馬斯;A·M·亨特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01L21/324
• 分類號(hào): H01L21/324;H01L21/268
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種熱處理襯底的方法，包括：

將襯底放置在襯底支撐件上；以及

將多個(gè)電磁能量脈沖傳送至襯底的表面上的第一地區(qū)，所述襯底的所述表面與所述襯底的第一區(qū)域熱連通，其中傳送多個(gè)電磁能量脈沖包括：

將第一電磁能量脈沖傳送至所述襯底的所述表面；

將第二電磁能量脈沖傳送至所述襯底的所述表面；以及

調(diào)整所述第一電磁能量脈沖起始及所述第二電磁能量脈沖起始之間的時(shí)間，以使包括在所述第一區(qū)域內(nèi)的材料熔化。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一脈沖的能量的量以及所述第二脈沖的能量的量本身不足以使所述第一區(qū)域內(nèi)含的材料熔化。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：加熱所述襯底支撐件，以使設(shè)置在所述襯底支撐件上的所述襯底在所述電磁能量傳送至所述襯底的所述表面之前處于約20℃和約600℃之間的溫度下。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：冷卻所述襯底支撐件，以使設(shè)置在所述襯底支撐件上的所述襯底在所述電磁能量傳送至所述襯底的所述表面之前處于約-240℃和約20℃之間的溫度下。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：修正所述襯底的所述表面上的所述第一區(qū)域，以使所述第一區(qū)域內(nèi)所含的材料的熔點(diǎn)較所述襯底的所述表面上的第二區(qū)域內(nèi)所含的材料的熔點(diǎn)來得低。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，修正所述第一區(qū)域包括在所述第一區(qū)域內(nèi)設(shè)置摻雜材料，其中所述摻雜材料選自由鍺、砷、鎵、碳、錫、以及銻所組成的組。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一脈沖中所傳送的電磁輻射波長與所述第二脈沖中所傳送的電磁輻射波長不同。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

將多個(gè)電磁能量脈沖傳送至所述襯底的所述表面上的第二地區(qū)，所述襯底的所述表面與所述襯底的第二區(qū)域熱連通，其中所述第二地區(qū)毗鄰所述第一地區(qū)，并且傳送多個(gè)電磁能量脈沖包括：

將第三電磁能量脈沖傳送至所述襯底的所述表面；

將第四電磁能量脈沖傳送至所述襯底的所述表面；以及

調(diào)整所述第三電磁能量脈沖起始及所述第四電磁能量脈沖起始之間的時(shí)間，以使包括在所述第二區(qū)域內(nèi)的材料熔化。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一地區(qū)及所述第二地區(qū)的邊界與形成在所述襯底的所述表面上的一條或多條切割線對(duì)齊。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底的所述表面上的所述第一地區(qū)介于約4平方毫米和約1000平方毫米之間。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

將第三電磁能量脈沖傳送至所述襯底的所述表面；以及

調(diào)整所述第二電磁能量脈沖起始及所述第三電磁能量脈沖起始之間的時(shí)間，以使包括在所述第一區(qū)域內(nèi)的材料熔化。

12.一種熱處理襯底的方法，包括：

將襯底放置在襯底支撐件上；以及

將電磁能量傳送至襯底的表面上，所述襯底的所述表面與所述襯底的第一區(qū)域及第二區(qū)域熱連通，其中傳送電磁能量包括：

以第一波長傳送第一量的電磁能量，以優(yōu)先熔化包括在所述第一區(qū)域內(nèi)而非所述第二區(qū)域內(nèi)的材料；以及

以第二波長傳送第二量的電磁能量，以優(yōu)先熔化包括在所述第一區(qū)域內(nèi)而非所述第二區(qū)域內(nèi)的材料，其中所述傳送第二量的電磁能量以及所述傳送第一量的電磁能量在時(shí)間上重迭。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括：加熱所述襯底支撐件，以使設(shè)置在所述襯底支撐件上的所述襯底在所述電磁能量傳送至所述襯底的所述表面之前處于約20℃和約600℃之間的溫度下。

14.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括：冷卻所述襯底支撐件，以使設(shè)置在所述襯底支撐件上的所述襯底在所述電磁能量傳送至所述襯底的所述表面之前處于約-240℃和約20℃之間的溫度下。

15.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括：修正所述襯底的所述表面上的所述第一區(qū)域，以使所述第一區(qū)域內(nèi)所含的材料的熔點(diǎn)較所述襯底的所述表面上的所述第二區(qū)域內(nèi)所含的材料的熔點(diǎn)來得低。