[發明專利]一種GaN基發光二極管外延結構的生長方法

有效

• 申請號: 201310180372.2
• 申請日: 2013-05-16
• 公開（公告）號: CN103227251A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 郭麗彬;劉仁鎖;蔣利民;李剛
• 申請（專利權）人: 合肥彩虹藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/32;H01L33/06
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• 代理人: 暫無信息

1.一種GaN基發光二極管外延結構的生長方法，該外延結構從下向上的順序依次為：襯底、低溫GaN緩沖層、GaN非摻雜層、N型GaN層、淺量子阱層、發光量子阱層、低溫P型GaN層、PAlGaN電流阻擋層、高溫P型GaN層和P型接觸層，其特征在于，所述淺量子阱層包括多個依次交疊的量子阱結構，所述量子阱結構由In_xGa_1-xN勢阱層，其中0<x<1和GaN勢壘層依次生長而成，所述GaN勢壘層采用漸變式生長速率進行生長，Ga源使用TMGa或TEGa進行外延生長。

2.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管外延結構的生長方法，其特征在于，所述GaN勢壘層采用漸變式生長速率進行生長的方法是：在生長淺量子阱層的前面一個GaN勢壘層A及后面一個GaN勢壘層B，均采用較高生長速率進行生長，中間的GaN勢壘層采用低于GaN勢壘層A或GaN勢壘層B的生長速率的2%-10%進行生長。

3.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管外延結構的生長方法，其特征在于，所述GaN勢壘層采用漸變式生長速率進行生長的方法是：在生長淺量子阱層的前面一個GaN勢壘層A及后面一個GaN勢壘層B，均采用較高生長速率進行生長，中間的GaN勢壘層采用高于GaN勢壘層A或GaN勢壘層B的生長速率的2%-6%進行生長，GaN勢壘層A或GaN勢壘層B或中間的GaN勢壘層為GaN層或摻雜Si生長的GaN/Si層。

4.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管外延結構的生長方法，其特征在于，所述GaN勢壘層采用漸變式生長速率進行生長的方法是：將淺量子阱層拆成兩部分進行生長，第一部分淺量子阱層的前面一個GaN勢壘層C及后面一個GaN勢壘層D以及第二部分淺量子阱層的后面一個GaN勢壘層E均采用較高生長速率進行生長，其余GaN勢壘層均采用低于GaN勢壘層C或GaN勢壘層D或GaN勢壘層E的生長速率的2%-10%進行生長，GaN勢壘層C或GaN勢壘層D或所述其余GaN勢壘層為GaN層或摻雜Si生長的GaN/Si層。

5.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管外延結構的生長方法，其特征在于，所述GaN勢壘層采用漸變式生長速率進行生長的方法是：將淺量子阱層拆成兩部分進行生長，第一部分淺量子阱層的前面一個GaN勢壘層C及后面一個

GaN勢壘層D以及第二部分淺量子阱層的后面一個GaN勢壘層E均采用較高生長速率進行生長，其余GaN勢壘層均采用高于GaN勢壘層C或GaN勢壘層D或GaN勢壘層E的生長速率的2%-6%進行生長，GaN勢壘層C或GaN勢壘層D或所述其余GaN勢壘層為GaN層或摻雜Si生長的GaN/Si層。