[發(fā)明專利]化合物半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310180255.6 | 申請日： | 2013-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN103515429A | 公開（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱雷 | 申請（專利權(quán)）人： | 富士通株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335;H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;陳煒 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 化合物 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種化合物半導(dǎo)體器件，包括：
化合物半導(dǎo)體區(qū)域，具有其中形成階梯的表面；
第一電極，形成在所述階梯的上表面的上方，所述上表面為非極性面；以及
第二電極，沿著所述階梯的側(cè)表面形成，從而在豎直方向上與所述第一電極間隔開，所述側(cè)表面是極性面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，還包括：
第三電極，沿著所述階梯的所述上表面形成，從而在水平方向上與所述第一電極間隔開。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物半導(dǎo)體器件，
其中所述第三電極被形成為填充所述階梯的所述上表面中形成的槽并且部分接觸所述槽中的極性面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物半導(dǎo)體器件，
其中第一n摻雜區(qū)域被形成為位于所述階梯中所述第三電極的下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的化合物半導(dǎo)體器件，
其中第二n摻雜區(qū)域在所述階梯中形成于所述第一電極與所述第三電極之間，并且摻雜物濃度在所述第二n摻雜區(qū)域中比在所述第一n摻雜區(qū)域中更低。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一權(quán)利要求所述的化合物半導(dǎo)體器件，
其中所述階梯是突起的形式。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一權(quán)利要求所述的化合物半導(dǎo)體器件，
其中所述階梯是凹陷的形式。
8.一種用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：
在化合物半導(dǎo)體區(qū)域的表面中形成階梯；
形成第一電極，所述第一電極在所述階梯的上表面的上方，所述上表面為非極性面；以及
沿著所述階梯的側(cè)表面形成第二電極，所述第二電極在豎直方向上與所述第一電極間隔開，所述側(cè)表面是極性面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，所述方法還包括：
沿著所述階梯的所述上表面形成第三電極，所述第三電極在水平方向上與所述第一電極間隔開。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，
其中所述第三電極被形成為填充所述階梯的所述上表面中形成的槽并且部分地接觸所述槽中的極性面。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，
其中第一n摻雜區(qū)域在所述階梯中被形成為位于所述第三電極的下方。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，
其中第二n摻雜區(qū)域在所述階梯中形成于所述第一電極與所述第三電極之間，并且摻雜物濃度在所述第二n摻雜區(qū)域中比在所述第一n摻雜區(qū)域中更低。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至12中的任一權(quán)利要求所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，
其中所述階梯是突起的形式。
14.根據(jù)權(quán)利要求8至12中的任一權(quán)利要求所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，
其中所述階梯是凹陷的形式。
15.一種功率供應(yīng)電路，包括：
變壓器；
高壓電路；以及
低壓電路，其中
所述變壓器設(shè)置于所述高壓電路與所述低壓電路之間，并且
所述高壓電路包括晶體管，
所述晶體管包括：
化合物半導(dǎo)體區(qū)域，具有其中形成階梯的表面；
第一電極，形成為位于所述階梯的上表面的上方，所述上表面為非極性面；以及
第二電極，沿著所述階梯的側(cè)表面形成為在豎直方向上與所述第一電極間隔開，所述側(cè)表面是極性面。
16.一種高頻放大器，用于放大輸入的高頻電壓、然后輸出所述放大的高頻電壓，所述放大器包括：
晶體管，包括：
化合物半導(dǎo)體區(qū)域，具有其中形成階梯的表面；
第一電極，形成為位于所述階梯的上表面的上方，所述上表面為非極性面；以及
第二電極，沿著所述階梯的側(cè)表面形成為在豎直方向上與所述第一電極間隔開，所述側(cè)表面是極性面。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
