[發明專利]具有肖特基接觸終端的快恢復二極管

有效

• 申請號: 201310179865.4
• 申請日: 2013-05-15
• 公開（公告）號: CN103311315A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 李澤宏;楊文韜;宋洵奕;宋文龍;張金平;任敏
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/08
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.具有肖特基接觸終端的快恢復二極管，其元胞結構包括N⁺陰極區（60）、位于N⁺陰極區（60）背面的陰極金屬（70）、位于N⁺陰極區（60）上方的N型漂移區（40）、位于N⁺陰極區（60）和N型漂移區（40）之間的N型場緩沖層（50）；所述N型漂移區（40）表面具有元胞P型區（20），元胞P型區（20）表面具有陽極金屬（10）；器件終端區的N型漂移區（40）表面距離元胞P型區（20）由近及遠地分布有等位環（31）、第一場限環（32）和第二場限環（33）；所述等位環（31）表面具有與之接觸的肖特基金屬（80），肖特基金屬（80）與等位環（31）表面接觸方式為肖特基接觸；所述等位環（31）與元胞P型區（20）等電位連接，形成器件終端過渡區；所述第一場限環（32）和第二場限環（33）用于改善器件反向阻斷時等位環（31）的電場曲率效應，以提高器件終端的耐壓能力；所述N型場緩沖層（50）用以截止阻斷狀態時的電場。

2.根據權利要求1所述的具有肖特基接觸終端的快恢復二極管，其特征在于，所述等位環（31）與元胞P型區（20）等電位連接的實現方式為等位環（31）與元胞P型區（20）向接觸。

3.根據權利要求1所述的具有肖特基接觸終端的快恢復二極管，其特征在于，所述等位環（31）與元胞P型區（20）等電位連接的實現方式是等位環（31）與元胞P型區（20）不相接觸，而是肖特基金屬（80）與陽極金屬（10）相連接。

4.根據權利要求1所述的具有肖特基接觸終端的快恢復二極管，其特征在于，所述肖特基接觸金屬（80）為Cu，或其他功函數在4.6～4.9eV的金屬。

5.根據權利要求1所述的具有肖特基接觸終端的快恢復二極管，其特征在于，所述具有肖特基接觸終端的快恢復二極管的終端結構包括場限環型終端結構、帶場板的場限環終端結構、半絕緣多晶硅型終端結構或橫向變摻雜型終端結構。