[發明專利]制造用于安裝電子器件的襯底的方法

無效

• 申請號: 201310179067.1
• 申請日: 2013-05-15
• 公開（公告）號: CN103429001A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 李視榮;金泰亨;金起范;金裕承;金周賢;洪鎮基
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

相關申請的交叉引用

本申請要求于2012年5月16日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2012-0052119的優先權，其公開通過引用并入本文。

技術領域

本發明涉及制造用于安裝電子器件的襯底的方法。

背景技術

發光二極管（LED）是包括能夠發光的材料的器件，其中通過半導體結部分中的電子-空穴復合產生的能量被轉換成要從其發出的光。LED通常采用為普通照明裝置、顯示器裝置等中的光源，因此已加速了LED的發展。

最近，特別地，氮化鎵基LED的發展和使用已經增加，并且使用這樣的氮化鎵基LED的移動裝置鍵盤、汽車轉向信號燈、相機閃光燈等已經被商業化，與此一致，使用LED的普通照明裝置的發展已加速。像應用了LED的產品（諸如大型電視機的背光單元、汽車頭燈、普通照明裝置等）那樣，LED的當前趨勢為越來越多地用在具有高輸出和高效率的大尺寸產品中。因此，用在這樣的產品中的LED的特性需要滿足高水平LED所需的特性。

利用當前LED技術，發光元件安裝在用于安裝電子器件的襯底上，以便實現高度集成的LED。在此情況下，用于安裝電子器件的襯底的制造工藝相對復雜，導致了過長的制造時間和過多的制造成本。

發明內容

本發明的一個方面提供了一種制造用于安裝電子器件的襯底的方法，其減少制造時間和成本。

根據本發明的一個方面，提供了一種制造用于安裝電子器件的襯底的方法。該方法包括步驟：在所述襯底的除邊緣部分之外的表面上形成保護層；在所述襯底的除所述保護層之外的整個表面上布置氧化物膜；生長所述氧化物膜；通過選擇性地刻蝕所述保護層來在所述襯底的厚度方向上形成通孔；以及去除所述氧化物膜。

所述襯底可以是Si襯底。

所述邊緣部分在從所述襯底的邊緣朝向其中心的方向上可以具有30μm的寬度。

可以通過在所述襯底上沉積氮化物膜來形成所述保護層。

所述氮化物膜可以從包括SiON、SiN_x及其混合物的組中選擇。

可以通過向所述襯底提供O₂氣體來沉積所述氧化物膜。

所述氧化物膜可以生長成具有5μm或大于5μm的厚度。

形成所述通孔的步驟可以包括：在所述保護層上形成具有圖案的掩模；選擇性地刻蝕在所述圖案之間暴露出來的所述保護層以暴露所述襯底的一部分；以及刻蝕所述襯底的暴露部分以形成所述通孔。

可以使用CH_xF_y氣體來執行所述保護層的選擇性刻蝕的步驟。

CH_xF_y氣體可以是CH₂F₂氣體或CH₃F氣體。

所述保護層和所述氧化物膜可以具有不同刻蝕率。

所述方法還可以包括通過利用金屬填充所述通孔來形成電極的步驟。

在另一個示例中，提供了一種制造襯底的方法。該方法包括步驟：在所述襯底的第一表面上布置保護層；在所述襯底的第二表面上布置氧化物種子層，所述第一表面與所述第二表面不重疊并且所述氧化物種子層布置于所述襯底的一個或多個邊緣之上；生長所述氧化物種子層以形成氧化物膜，所述氧化物膜的厚度大于所述氧化物種子層的厚度；通過選擇性地刻蝕所述保護層來在所述襯底的厚度方向上形成多個通孔；以及去除所述氧化物膜。

在下面描述中將部分闡述其他優點和新穎特征，對于本領域技術人員來說，一旦檢查隨后內容和附圖則其他優點和新穎特征將是顯而易見的，或者可以通過示例的產品或操作得知其他優點和新穎特征。可以通過實踐或使用下面討論的在詳細示例中闡述的方法、手段及其組合的各種方面來實現和獲得本發明的優點。

附圖說明

根據下面結合附圖進行的詳細描述將更清楚地理解本發明的上述和其他方面、特征和其他優點，其中：

圖1是根據本發明的示例的襯底的平面圖；以及

圖2至圖9是示出根據本發明的示例的制造用于安裝電子器件的襯底的方法的示意剖面圖。

具體實施方式

在下面詳細的描述中，通過示例闡述許多具體細節以便提供相關教導的透徹理解。然而，對于本領域技術人員來說清楚的是，可以在沒有這樣的細節的情況下實踐本教導。