[發明專利]模擬開關控制電路結構

有效

• 申請號: 201310178864.8
• 申請日: 2013-05-14
• 公開（公告）號: CN103312309A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 夏虎;徐棟;嚴淼;羅先才;朱立群;張蓉
• 申請（專利權）人: 無錫華潤矽科微電子有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種模擬開關控制電路結構，其特征在于，所述的電路結構包括傳輸門PMOS場效應管（P1）、傳輸門NMOS場效應管（N1）、負電壓產生電路模塊、第一反相器電路模塊、第二反相器電路模塊、PMOS襯底柵極控制電路模塊和NMOS襯底柵極控制電路模塊，所述的傳輸門PMOS場效應管（P1）的源極和傳輸門NMOS場效應管（N1）的源極均與模擬信號輸入端相連接，所述的傳輸門PMOS場效應管（P1）的漏極和傳輸門NMOS場效應管（N1）的漏極均與模擬信號輸出端相連接，所述的傳輸門PMOS場效應管（P1）的襯底和柵極分別與所述的PMOS襯底柵極控制電路模塊相連接，所述的傳輸門NMOS場效應管（N1）的襯底和柵極分別與所述的NMOS襯底柵極控制電路模塊相連接，所述的負電壓產生電路模塊的輸入端分別與電源電壓（VDD）和地（GND）相連接，該負電壓產生電路模塊的輸出端（VEE）和電源電壓（VDD）均分別與所述的第一反相器電路模塊的輸入端、第二反相器電路模塊的輸入端、PMOS襯底柵極控制電路模塊的輸入端和NMOS襯底柵極控制電路模塊的輸入端相連接，該第一反相器電路模塊的輸出端與所述的PMOS襯底柵極控制電路模塊的輸入端相連接，且該第二反相器電路模塊的輸出端與所述的NMOS襯底柵極控制電路模塊的輸入端相連接，所述的第一反相器電路模塊的輸入端還與模擬開關控制端（CP）相連接，且該第一反相器電路模塊的輸出端還與該第二反相器電路模塊的輸入端相連接。

2.根據權利要求1所述的模擬開關控制電路結構，其特征在于，所述的PMOS襯底柵極控制電路模塊包括第二PMOS場效應管（P2）、第三PMOS場效應管（P3）、第五PMOS場效應管（P5）和第五NMOS場效應管（N5），所述的第二PMOS場效應管（P2）的源極和襯底、第三PMOS場效應管（P3）的源極和襯底、第五PMOS場效應管（P5）的源極和襯底均與所述的傳輸門PMOS場效應管（P1）的襯底相連接，該第二PMOS場效應管（P2）的漏極與所述的電源電壓（VDD）相連接，且該第二PMOS場效應管（P2）的柵極與所述的第五PMOS場效應管（P5）的漏極和第五NMOS場效應管（N5）的漏極均相連接；所述的第三PMOS場效應管（P3）的漏極與所述的模擬信號輸入端相連接，且該第三PMOS場效應管（P3）的柵極與所述的電源電壓（VDD）相連接；所述的第五PMOS場效應管（P5）的柵極和第五NMOS場效應管（N5）的柵極分別與所述的第一反相器電路模塊的輸出端相連接，且該第五NMOS場效應管（N5）的源極和襯底均與所述的負電壓產生電路模塊的輸出端（VEE）相連接。

3.根據權利要求2所述的模擬開關控制電路結構，其特征在于，所述的第一反相器電路模塊包括第四PMOS場效應管（P4）和第四NMOS場效應管（N4），所述的第四PMOS場效應管（P4）的柵極和第四NMOS場效應管（N4）的柵極分別與所述的模擬開關控制端（CP）相連接，該第四PMOS場效應管（P4）的源極和襯底均與所述的電源電壓（VDD）相連接，該第四NMOS場效應管（N4）的源極和襯底均與所述的負電壓產生電路模塊的輸出端（VEE）相連接，且所述的第四PMOS場效應管（P4）的漏極和第四NMOS場效應管（N4）的漏極相連接并作為所述的第一反相器電路模塊的輸出端。

4.根據權利要求1所述的模擬開關控制電路結構，其特征在于，所述的NMOS襯底柵極控制電路模塊包括第二NMOS場效應管（N2）、第三NMOS場效應管（N3）、第七PMOS場效應管（P7）和第七NMOS場效應管（N7），所述的第二NMOS場效應管（N2）的源極和襯底、第三NMOS場效應管（N3）的源極和襯底、第七NMOS場效應管（N7）的源極和襯底均與所述的傳輸門NMOS場效應管（N1）的襯底相連接，該第三NMOS場效應管（N3）的漏極與所述的負電壓產生電路模塊的輸出端（VEE）相連接，且該第三NMOS場效應管（N3）的柵極與所述的第七PMOS場效應管（P7）的漏極和第七NMOS場效應管（N7）的漏極均相連接；所述的第二NMOS場效應管（N2）的漏極與所述的模擬信號輸入端相連接，且該第二NMOS場效應管（N2）的柵極與所述的負電壓產生電路模塊的輸出端（VEE）相連接；所述的第七NMOS場效應管（N7）的柵極和第七PMOS場效應管（P7）的柵極分別與所述的第二反相器電路模塊的輸出端相連接，且該第七PMOS場效應管（P7）的源極和襯底均與所述的電源電壓（VDD）相連接。

5.根據權利要求4所述的模擬開關控制電路結構，其特征在于，所述的第二反相器電路模塊包括第六PMOS場效應管（P6）和第六NMOS場效應管（N6），所述的第六PMOS場效應管（P6）的柵極和第六NMOS場效應管（N6）的柵極分別與所述的模擬開關控制端（CP）相連接，該第六PMOS場效應管（P6）的源極和襯底均與所述的電源電壓（VDD）相連接，該第六NMOS場效應管（N6）的源極和襯底均與所述的負電壓產生電路模塊的輸出端（VEE）相連接，且所述的第六PMOS場效應管（P6）的漏極和第六NMOS場效應管（N6）的漏極相連接并作為所述的第二反相器電路模塊的輸出端。