[發明專利]陶瓷基片的制備方法

有效

• 申請號: 201310178844.0
• 申請日: 2013-05-14
• 公開（公告）號: CN103265293A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 陸亨;宋子峰;韋豪任;祝忠勇
• 申請（專利權）人: 廣東風華高新科技股份有限公司
• 主分類號: C04B35/622
• 分類號: C04B35/622;B32B18/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

技術領域

本發明涉及電子元件領域，特別是涉及一種陶瓷基片的制備方法。

背景技術

單層電容器由于具有極小的等效串聯電阻和等效串聯電感，從而具有高自諧振頻率和高品質因數，應用頻率可達數十吉赫茲。再由于單層電容器超小的外圍尺寸，故單層電容器特別適用于小型、微波的場合，可應用于微波集成電路中，起到隔直、RF旁路、濾波、調諧等作用。

單層電容器的結構包括單層的陶瓷介質基片和分別覆蓋陶瓷介質基片上下表面的兩個電極層。作為單層電容器的介質的陶瓷基片，是由陶瓷生坯經高溫燒結致密化而成。燒結時生坯發生收縮，線收縮率可達17%～20%。燒結過程中的收縮應力極易使很薄的基片（厚度為0.1毫米～0.3毫米）翹曲，導致后續加工（如電極被覆、二次分割等）無法進行，制造不良率增加。

發明內容

基于此，有必要提供一種較為平整的陶瓷基片的制備方法。

一種陶瓷基片的制備方法，包括以下步驟：

將陶瓷粉、第一有機粘合劑和第一溶劑混合均勻后得到陶瓷漿料，接著以所述陶瓷漿料為原料制備得到陶瓷膜，最后以所述陶瓷膜為原料制備得到陶瓷基片生坯；

將氧化鋯粉、第二有機粘合劑和第二溶劑混合均勻后得到氧化鋯漿料，接著以所述氧化鋯漿料為原料制備得到氧化鋯薄膜，最后切割所述氧化鋯薄膜得到氧化鋯隔膜；

將所述陶瓷基片生坯和所述氧化鋯隔膜交替層疊后放置于基板上進行燒結，得到陶瓷基片。

在一個實施例中，所述以所述陶瓷膜為原料制備得到陶瓷基片生坯的操作為：將3片～20片以所述陶瓷漿料為原料制備得到的陶瓷膜進行層疊壓合，形成層疊壓合后的陶瓷膜，接著切割所述層疊壓合后的陶瓷膜，得到所述陶瓷基片生坯。

在一個實施例中，所述氧化鋯粉、所述第二有機粘合劑和所述第二溶劑的質量比為100:40～45:40～50。

在一個實施例中，所述陶瓷粉為Ⅰ類瓷介、Ⅱ類瓷介或Ⅲ類瓷介；所述第一有機粘合劑為聚乙烯醇縮丁醛；所述第一溶劑為甲苯和乙醇的混合物，所述甲苯和所述乙醇的質量比為1:1～2:1；

所述陶瓷粉、所述第一有機粘合劑和所述第一溶劑的質量比為100:30～45:50～70。

在一個實施例中，所述第二有機粘合劑為聚乙烯醇縮丁醛；所述第二溶劑為甲苯和乙醇的混合物，所述甲苯和所述乙醇的質量比為1:1～2:1。

在一個實施例中，所述以所述陶瓷漿料為原料制備得到陶瓷膜的操作中，采用流延法制備得到陶瓷膜。

在一個實施例中，所述氧化鋯薄膜的厚度為30微米～50微米。

在一個實施例中，所述以所述氧化鋯漿料為原料制備得到氧化鋯薄膜的操作中，采用流延法制備得到氧化鋯薄膜。

在一個實施例中，所述燒結的燒結溫度為1200℃～1300℃，所述燒結的燒結溫度保持時間為2小時～3小時。

在一個實施例中，所述陶瓷基片生坯和所述氧化鋯隔膜交替層疊的層數為20～30層。

上述陶瓷基片的制備方法，將陶瓷基片生坯和氧化鋯隔膜交替層疊后進行燒結，可防止陶瓷基片燒結時發生翹曲，得到的陶瓷基片較為平整。由于氧化鋯隔膜化學穩定性好，在基片燒結過程中不與基片發生反應，陶瓷基片生坯夾在氧化鋯隔膜之間進行燒結時，可防止燒結后陶瓷基片發生粘片。

附圖說明

圖1為一實施方式的陶瓷基片的制備方法的流程圖；

圖2為陶瓷基片生坯和氧化鋯隔膜交替層疊裝缽的示意圖。

具體實施方式

為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似改進，因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。

如圖1所示，一實施方式的陶瓷基片的制備方法，包括以下步驟：

S10、將陶瓷粉、第一有機粘合劑和第一溶劑混合均勻后得到陶瓷漿料，接著以陶瓷漿料為原料制備得到陶瓷膜，最后以陶瓷膜為原料制備得到陶瓷基片生坯。

陶瓷粉、第一有機粘合劑和第一溶劑的質量比可以為100:30～45:50～70。

陶瓷粉可以是Ⅰ類瓷介、Ⅱ類瓷介或Ⅲ類瓷介。Ⅰ類瓷介可以為C0G特性瓷介等。Ⅱ類瓷介可以為X7R特性瓷介等。Ⅲ類瓷介可以為Z5U特性瓷介等。

第一有機粘合劑可以為聚乙烯醇縮丁醛等。