[發明專利]用于I/O接口的降壓轉換電路有效
| 申請號： | 201310178635.6 | 申請日： | 2013-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN104158534B | 公開（公告）日： | 2017-06-23 |
| 發明（設計）人： | 杭金華;王俊;郭之光;馬瑩;程惠娟 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0175 | 分類號： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 接口 降壓 轉換 電路 | ||
1.一種用于I/O接口的降壓轉換電路，包括：
高壓反相器，所述高壓反相器包括高壓PMOS管和高壓NMOS管，所述高壓PMOS管的源極和漏極分別與高壓電源和第一輸出端相連，所述高壓PMOS管的柵極由一輸入信號控制，所述高壓NMOS管的源極和漏極分別與電源地和所述第一輸出端相連，所述高壓NMOS管的柵極與所述高壓PMOS管的柵極相連；
鉗位電路，所述鉗位電路的供電端與低壓電源相連，所述鉗位電路的輸入端與所述第一輸出端相連，所述鉗位電路的輸出端與第二輸出端相連；和
低壓反相器，所述低壓反相器包括低壓PMOS管和低壓NMOS管，所述低壓PMOS管的源極和漏極分別與所述低壓電源和第三輸出端相連，所述低壓PMOS管的柵極與所述第二輸出端相連，所述低壓NMOS管的源極和漏極分別與所述電源地和所述第三輸出端相連，所述低壓NMOS管的柵極與所述低壓PMOS管的柵極相連，
其中，所述電源地低于所述低壓電源，所述低壓電源低于所述高壓電源，所述輸入信號在所述電源地和所述高壓電源之間的電壓擺動。
2.如權利要求1所述的用于I/O接口的降壓轉換電路，其特征在于，所述高壓PMOS管和高壓NMOS管分別具有第一閾值電壓和第二閾值電壓，所述第一閾值電壓的絕對值和所述第二閾值電壓均低于所述高壓電源且高于所述低壓電源。
3.如權利要求1所述的用于I/O接口的降壓轉換電路，其特征在于，所述低壓PMOS管和低壓NMOS管分別具有第三閾值電壓和第四閾值電壓，所述第三閾值電壓的絕對值和所述第四閾值電壓均低于所述低壓電源且高于所述電源地。
4.如權利要求1所述的用于I/O接口的降壓轉換電路，其特征在于，所述降壓轉換電路的降壓過程為：
所述輸入信號為所述高壓電源時，所述輸入信號同時控制所述高壓PMOS管截止、所述高壓NMOS管導通，所述高壓反相器經所述第一輸出端將所述高壓NMOS管的源極連接的電源地輸出；
當所述鉗位電路的輸入端接收所述電源地時，所述鉗位電路將所述第二輸出端輸出的電壓下拉至與接收到的所述電源地相等；
所述電源地同時控制所述低壓PMOS管導通、所述低壓NMOS管截止，所述低壓反相器經所述第三輸出端將所述低壓PMOS管的柵極連接的低壓電源輸出。
5.如權利要求1所述的用于I/O接口的降壓轉換電路，其特征在于，所述降壓轉換電路的降壓過程為：
所述輸入信號為所述電源地時，所述輸入信號同時控制所述高壓PMOS管導通、所述高壓NMOS管截止，所述高壓反相器經所述第一輸出端將所述高壓PMOS管的源極連接的所述高壓電源輸出；
當所述鉗位電路的輸入端接收所述高壓電源時，所述鉗位電路將所述第二輸出端輸出的電壓上拉至與所述鉗位電路的供電端的電壓相等；
所述低壓電源同時控制所述低壓PMOS管截止、所述低壓NMOS管導通，所述低壓反相器經所述第三輸出端將所述低壓NMOS管的漏極連接的電源地輸出。
6.如權利要求1至5中任意一項所述的用于I/O接口的降壓轉換電路，其特征在于，所述鉗位電路為高壓本征NMOS管，所述高壓本征NMOS管的柵端為所述鉗位電路的供電端，所述高壓本征NMOS管的源/漏端的一端為所述鉗位電路的輸入端，所述高壓本征NMOS管的源/漏端的另一端為所述鉗位電路的輸出端。
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