[發明專利]TEM平面樣品的制備方法有效
| 申請號： | 201310178632.2 | 申請日： | 2013-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN104155156B | 公開（公告）日： | 2017-04-19 |
| 發明（設計）人： | 趙燕麗;齊瑞娟;王小懿;段淑卿 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tem 平面 樣品 制備 方法 | ||
1.一種TEM平面樣品的制備方法，其特征在于，包括：
提供一晶片，所述晶片包括基底和半導體器件層；
在所述半導體器件層的上面涂布有機物薄膜；
切割涂布有有機物薄膜的晶片形成待測樣品；
與涂有有機物薄膜的表面相鄰的一表面形成保護層；
對所述待測樣品執行離子減薄，形成TEM平面樣品。
2.如權利要求1所述的TEM平面樣品的制備方法，其特征在于，所述有機物薄膜的厚度是500～700nm。
3.如權利要求1所述的TEM平面樣品的制備方法，其特征在于，所述有機物薄膜含碳。
4.如權利要求1所述的TEM平面樣品的制備方法，其特征在于，所述保護層的材料是Pt或者W。
5.如權利要求1所述的TEM平面樣品的制備方法，其特征在于，所述離子減薄包括離子束粗切、U型切割和離子束細切；
其中，所述離子束粗切是指從涂布有有機物薄膜的表面相對的一表面，對所述待測樣品進行離子轟擊，形成具有凹坑的樣品。
6.如權利要求5所述的TEM平面樣品的制備方法，其特征在于，所述凹坑的數量為一個。
7.如權利要求5所述的TEM平面樣品的制備方法，其特征在于，所述凹坑的位置靠近待測樣品的中心。
8.如權利要求5所述的TEM平面樣品的制備方法，其特征在于，所述U型切割保留靠近保護層的部分側面。
9.如權利要求5所述的TEM平面樣品的制備方法，其特征在于，所述離子束細切包括第一側面切割和第二側面切割。
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