[發明專利]控制柵及浮柵的制作方法在審
| 申請號： | 201310178630.3 | 申請日： | 2013-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN104157559A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發明（設計）人： | 何其暘;尚飛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/3213;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 控制 制作方法 | ||
1.一種控制柵及浮柵的制作方法，包括步驟：
提供半導體襯底；
在所述半導體襯底上依次形成柵介質層、浮柵層、介質層以及控制柵層；
刻蝕所述控制柵層形成控制柵；
對所述控制柵進行預處理，在所述控制柵的側壁形成保護層；
依次刻蝕所述介質層、浮柵層以及柵介質層，形成浮柵。
2.如權利要求1所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，所述浮柵層以及控制柵層的材質均為多晶硅。
3.如權利要求2所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，所述預處理為等離子體轟擊處理。
4.如權利要求3所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，所述等離子體轟擊處理采用的氣體是CH4。
5.如權利要求4所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，所述等離子體轟擊處理時間范圍是30s～240s，壓強范圍是2mT～200mT，CH4流量范圍是10sccm～1000sccm。
6.如權利要求3所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，所述等離子體轟擊處理采用的氣體是SiCl4與O2。
7.如權利要求6所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，所述等離子體轟擊處理時間范圍是30s～240s，壓強范圍是2mT～200mT，SiCl4流量范圍是10sccm～1000sccm，O2流量范圍是10sccm～1000sccm。
8.如權利要求3所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，所述等離子體轟擊處理采用的氣體是N2。
9.如權利要求8所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，所述等離子體轟擊處理時間范圍是30s～240s，壓強范圍是2mT～200mT，N2流量范圍是10sccm～1000sccm。
10.如權利要求1所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，在所述控制柵層形成之后，刻蝕控制柵層之前，在所述控制柵層表面形成掩膜層。
11.如權利要求10所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，所述掩膜層的材質為氮化硅或氧化硅。
12.如權利要求1所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，所述介質層的材質為氧化硅層-氮化硅層-氧化硅層組合。
13.如權利要求1所述的控制柵及浮柵的制作方法，其特征在于，在形成浮柵之后，采用清洗工藝去除所述保護層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
