[發(fā)明專利]銅互連結(jié)構(gòu)的制造方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310178621.4
• 申請(qǐng)日: 2013-05-14
• 公開（公告）號(hào): CN103311179A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 費(fèi)孝愛;洪齊元
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 豪威科技（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種銅互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圓，所述第一晶圓上形成有第一氧化硅層，所述第一氧化硅層中形成有第一氮化硅層，所述第一氮化硅層中形成有第一銅線；提供第二晶圓，所述第二晶圓上形成有第二氧化硅層，所述第二氧化硅層中形成有第二銅線；

將所述第一氧化硅層及第二氧化硅層鍵合在一起，所述第一銅線和所述第二銅線形成銅互連結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的銅互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一氮化硅層的截面寬度大于所述第二銅線的截面寬度，所述第一氮化硅層在所述第一晶圓上的投影覆蓋所述第二銅線在所述第一晶圓上的投影。

3.如權(quán)利要求2所述的銅互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一銅線的截面寬度小于所述第二銅線的截面寬度。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的銅互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一晶圓上形成有第一氧化硅層，所述第一氧化硅層中形成有第一氮化硅層，所述第一氮化硅層中形成有第一銅線的制造方法包括：

在所述第一晶圓上形成第一氮化硅層；

在所述第一氮化硅層中形成第一銅線；

去除部分第一氮化硅層，露出第一晶圓；

在所述第一晶圓上形成第一氧化硅層。

5.如權(quán)利要求4所述的銅互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圓上形成第一氧化硅層的工藝包括如下步驟：

在所述第一晶圓及第一氮化硅層上形成第一氧化硅層；

去除所述第一氮化硅層上的第一氧化硅層。

6.如權(quán)利要求5所述的銅互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝在所述第一晶圓及第一氮化硅層上形成第一氧化硅層。

7.如權(quán)利要求5所述的銅互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，通過(guò)干法刻蝕工藝去除所述第一氮化硅層上的第一氧化硅層。

8.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的銅互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在所述第二氧化硅層中形成有第二氮化硅層，在所述第二氮化硅層中形成有第二銅線。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一晶圓，所述第一晶圓上形成有第一氧化硅層，所述第一氧化硅層中形成有第一氮化硅層，所述第一氮化硅層中形成有第一銅線；

第二晶圓，所述第二晶圓上形成有第二氧化硅層，所述第二氧化硅層中形成有第二銅線；

其中，所述第一氧化硅層及第二氧化硅層鍵合在一起，所述第一銅線和所述第二銅線形成了銅互連結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第二氧化硅層中形成有第二氮化硅層，在所述第二氮化硅層中形成有第二銅線。