[發明專利]一種蝕刻方法及其所用蝕刻拋光液

有效

• 申請號: 201310178584.7
• 申請日: 2013-05-14
• 公開（公告）號: CN103255416A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 王冠;宋卿;黃紅光;郭鐘寧;張永俊
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: C23F1/02
• 分類號: C23F1/02;C23F1/28;C23F3/06
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文;宋靜娜

1.一種蝕刻方法，所述蝕刻方法用于具有平面和與所述平面連接的圓弧曲面的金屬制品表面的蝕刻加工，其特征在于，包括以下步驟：

（1）掩膜處理：在所述金屬制品的平面和曲面上涂覆多個方形掩膜塊，所述平面上掩膜塊邊長大小均勻一致，所述平面與曲面連接處的掩膜塊邊長小于平面上的掩膜塊，所述曲面上的掩膜塊邊長由平面與曲面的連接處到曲面的邊緣處逐漸減小，相鄰兩個掩膜塊之間的間隙為掩膜間隙，所述掩膜間隙由平面的中心到平面與曲面的連接處、再到曲面的邊緣處逐漸減小；

（2）蝕刻加工：將掩膜后的金屬制品置于蝕刻機中進行蝕刻加工，從蝕刻機噴嘴中噴出的蝕刻液的壓力為0.2～0.4psi，蝕刻時間為3～10min；

（3）脫膜：將蝕刻后的金屬制品清洗脫膜，去除掩膜塊；

（4）二次處理：將脫膜后的金屬制品放到拋光液中浸泡，然后清洗即可。

2.如權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，所述步驟（1）中平面與曲面連接處的掩膜塊邊長為平面上掩膜塊邊長的4/5～9/10，曲面邊緣處的掩膜塊邊長為平面上掩膜塊邊長的3/5～7/10。

3.如權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于，所述步驟（1）中平面與曲面連接處的掩膜間隙為平面中心掩膜間隙的3/4～4/5，曲面邊緣處的掩膜間隙為平面中心掩膜間隙的1/2～3/5。

4.如權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，所述平面中心處掩膜間隙為掩膜塊邊長的1/4～1/3。

5.如權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，所述步驟（2）蝕刻加工中所用的蝕刻液包含以下重量百分比的組分：三氯化鐵20～30%、鹽酸5～10%、氯化鈉5～10%，余量為水。

6.如權利要求5所述的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻采用以下方法制備而成：稱取三氯化鐵、硝酸、氯化鈉和水，先將三氯化鐵溶于水中，得預混液，待所述預混液冷卻至室溫，再加入硝酸和氯化鈉，混合均勻后即得蝕刻液。

7.如權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，所述步驟（3）采用堿性溶液對蝕刻后的金屬制品進行脫膜。

8.如權利要求7所述的蝕刻方法，其特征在于，所述步驟（3）脫膜所用的堿性溶液為NaOH溶液。

9.如權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，所述步驟（4）中所用的拋光液含有以下質量百分比的組分：氫氟酸2～5%、雙氧水10～20%、磷酸2～5%，余量為水。

10.如權利要求1或9所述的蝕刻方法，其特征在于，所述步驟（4）中金屬制品在拋光液中浸泡的時間為2～5min。