[發(fā)明專利]一種用于提高發(fā)光器件效率的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310178490.X | 申請(qǐng)日： | 2013-05-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103280406A | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李淼 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安神光皓瑞光電科技有限公司;西安神光安瑞光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/306 | 分類號(hào)： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人： | 楊引雪 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 提高 發(fā)光 器件 效率 方法 | ||
1.一種用于提高發(fā)光器件效率的方法，其特征在于，包括以下步驟：
1]在基礎(chǔ)材料進(jìn)行量子阱生長(zhǎng)之前對(duì)其表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理，使基礎(chǔ)材料表面形成粗糙的微觀結(jié)構(gòu)；
2]對(duì)表面形成粗糙微觀結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)材料進(jìn)行清洗處理；
3]對(duì)經(jīng)步驟2處理完成后的基礎(chǔ)材料進(jìn)行相關(guān)的量子阱和后續(xù)結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于提高發(fā)光器件效率的方法，其特征在于：所述基礎(chǔ)材料與量子阱的組分相同或者不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于提高發(fā)光器件效率的方法，其特征在于：所述步驟1中進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理采用酸性或者堿性處理液任一或任意兩種及以上組合使用進(jìn)行。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
