[發(fā)明專利]深通孔電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310178419.1
• 申請(qǐng)日: 2013-05-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104157584B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇慶;張強(qiáng);張競(jìng)堯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種深通孔電阻測(cè)試結(jié)構(gòu)的深通孔電阻測(cè)試方法，該深通孔電阻測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括：四個(gè)位于襯底埋層(103)兩側(cè)穿通隔離層(102)連接襯底埋層(103)的深通孔(100)；介電質(zhì)層(101)隔離硅片表面與第一層金屬(104)，所述各深通孔(100)通過(guò)第一層金屬(104)連接測(cè)試結(jié)構(gòu)至測(cè)試焊點(diǎn)，形成六個(gè)測(cè)試端口分別連接激勵(lì)線F1、激勵(lì)線F2、檢測(cè)線S1、檢測(cè)線S2、檢測(cè)線S3和檢測(cè)線S4；其特征是，包括：

a)在測(cè)試端口1和測(cè)試端口4即在激勵(lì)線F1和激勵(lì)線F2間施加激勵(lì)電流I，激勵(lì)電流通過(guò)兩端深通孔(100)的電阻R_{接觸孔100a}和電阻R_{接觸孔100b}與襯底埋層電阻R_襯底103；

b)在測(cè)試端口2和測(cè)試端口3即使用檢測(cè)線S1和檢測(cè)線S2檢測(cè)出激勵(lì)電流I在兩端深通孔(100)的電阻R_{接觸孔100a}和R_{接觸孔100b}與襯底埋層電阻R_襯底103間的電壓降U；

c)同時(shí)在測(cè)試端口5和測(cè)試端口6即使用檢測(cè)線S3和檢測(cè)線S4檢測(cè)端點(diǎn)A和端點(diǎn)B間，即襯底埋層電阻R_襯底103間的電壓降U2＝V1-V2；V1是檢測(cè)端點(diǎn)A的電壓，V2是檢測(cè)端點(diǎn)B的電壓；

R_襯底103＝U2/I；

R_{接觸孔100a}＝R_{接觸孔100b}＝(U/I-R_襯底103)/2＝(U-U2)/I/2。

2.如權(quán)利要求1所述深通孔電阻的測(cè)試方法,其特征是：

步驟C)可采用以下步驟替換

d)同時(shí)在測(cè)試端口5即使用檢測(cè)線S3檢測(cè)電壓，S3檢測(cè)出的電壓降為端點(diǎn)A電壓V1，定義S3檢測(cè)線相對(duì)S1檢測(cè)線間電壓值為U3；

R_{接觸孔100a}＝U3/I；

R_襯底103＝U/I-R_{接觸孔100b}-R_{接觸孔100a}＝U/I-2*R_{接觸孔100a}＝U/I-2*U3/I。