[發明專利]靜電保護電路有效
| 申請號: | 201310178393.0 | 申請日: | 2013-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN104157642B | 公開(公告)日: | 2016-11-16 |
| 發明(設計)人: | 蘇慶;鄧樟鵬;苗彬彬;張強 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁紀鐵 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 保護 電路 | ||
1.一種靜電保護電路,其特征是,包括:
第一級電源保護(HL1)的高端通過第五反相二極管(D5)與第三輸入輸出管腳(PAD3)相連,其低端與第二級電源保護(HL2)的高端相連,并通過第一反相二極管(D1)與第一輸入輸出管腳(PAD1)相連;
第二級電源保護(HL2)的低端與第三級電源保護(HL3)的高端相連,并通過第三反相二極管(D3)第二輸入輸出管腳(PAD2);
第三級電源保護(HL3)的低端接地;
第一輸入輸出管腳(PAD1)為電壓需求最高的管腳,通過第二反相二極管(D2)接地;
第二輸入輸出管腳(PAD2)為電壓需求最低的管腳,通過第四反相二極管(D4)接地;
第三輸入輸出管腳(PAD3)為電壓需求位于第一輸入輸出管腳(PAD1)和第二輸入輸出管腳(PAD2)的管腳,通過串聯的第六反相二極管(D6)和第七反相二極管(D7)接地;
第一至第三級電源保護(HL1-HL3)的靜電防護能力相同,抗擊穿電壓不同;第三級電源保護(HL3)的反向開啟電壓高于第二輸入輸出管腳(PAD2)的工作電壓,低于第二輸入輸出管腳(PAD2)的內部電路失效電壓;第二級電源保護(HL2)的反向開啟電壓與第一級之和高于第一輸入輸出管腳(PAD1)的工作電壓,低于第一輸入輸出管腳(PAD1)的內部電路失效電壓;第一級電源保護(HL1)的反向開啟電壓與第一,第二級的反向開啟電壓之和高于第三輸入輸出管腳(PAD3)的工作電壓,低于第三輸入輸出管腳(PAD3)的內部電路失效電壓。
2.如權利要求1所述的靜電保護電路,其特征是:所述第一至第三級電源保護(HL1-HL3)采用PMOS管(P1-P3)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





