[發明專利]一種含有復合粘結層的丙烯系聚合物-乙烯系聚合物多層復合膜、其制備方法、用途及其制品有效
| 申請號: | 201310177904.7 | 申請日: | 2013-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN104149442A | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發明(設計)人: | 陳大魁;黃旭生;詹越強;谷漢進;云小兵 | 申請(專利權)人: | 浙江眾成包裝材料股份有限公司 |
| 主分類號: | B32B27/08 | 分類號: | B32B27/08;B32B27/32;B32B27/18 |
| 代理公司: | 北京慶峰財智知識產權代理事務所(普通合伙) 11417 | 代理人: | 劉元霞 |
| 地址: | 314100 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 含有 復合 粘結 丙烯 聚合物 乙烯 多層 制備 方法 用途 及其 制品 | ||
1.一種多層復合膜,其包括AYBYC層結構,其中,Y為復合粘結層,選自熔點低于130℃的烯烴聚合物,所述層結構中的A層、B層和C層包含的聚合物為下述組合之一:
(a)A層包含丙烯系聚合物,C層包含與A層相同或不同的丙烯系聚合物,B層包含乙烯系聚合物;
(b)A層包含乙烯系聚合物,C層包含與A層相同或不同的乙烯系聚合物,B層包含丙烯系聚合物。
優選地,所述A層、B層和C層是雙向拉伸的且包括如下組合之一:
(1)所述A層和C層的橫縱向拉伸比不同,所述B層的橫向拉伸倍率和縱向拉伸倍率相同;
(2)所述A層和C層的縱橫向拉伸比相同,所述B層的橫向拉伸倍率和縱向拉伸倍率相同。
2.根據權利要求1的復合膜,其特征在于,所述A層或B層的熔點高于Y層的熔點,其熔點差大于30℃,優選大于40℃,更優選大于50℃;
優選Y層的烯烴聚合物的熔點低于120℃,更優選低于110℃,還更優選低于100℃,最優選低于90℃;優選Y層的烯烴聚合物的熔點為75-120℃,更優選60-115℃,還更優選50-105℃;
優選所述Y層中的熔點低于130℃的烯烴聚合物選自丙烯共聚物、乙烯共聚物或其混合物;
優選所述Y層中的丙烯共聚物為丙烯與α-C2-10烯烴的共聚物,即α-C2-10烯烴作為共聚單體,優選為乙烯、丁烯、己烯或辛烯共聚單體,優選所述丙烯共聚物的熔點在75-120℃。
3.根據權利要求1或2所述的多層復合膜,其特征在于,所述Y層可為雙層結構,所述雙層結構為AYaYbBYbYcC,其中Y層的厚度為Ya和Yb的厚度之和,或者Yb和Yc的厚度之和。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的多層復合膜,其特征在于,所述A層或B層或C層的丙烯系聚合物優選是丙烯均聚物或者丙烯共聚物,典型地為全同立構均聚物,或為用不同的全同立構聚丙烯、無規立構聚丙烯、間同立構聚丙烯、有少量共聚單體的無規丙烯共聚物、和乙烯共聚物改性的全同立構聚丙烯的聚丙烯共混物;共聚單體為乙烯或更高ɑ-烯烴,如乙烯、丁烯、己烯或辛烯等;優選的,所述A層或B層或C層的丙烯系聚合物的熔點為148-170°C,優選150-167°C,更優選155°C-165°C;分子量分布(GPC測試)為2-16,優選為4-10;熔融指數為0.5-10g/10min,優選1-8g/10min;
所述A層、B層或C層的乙烯系聚合物優選是高密度聚乙烯、高壓法低密度聚乙烯或低壓法線性低密度聚乙烯;優選地,所述A層、B層或C層的乙烯系聚合物的熔點為130-150°C,優選135-148°C;熔融指數為0.2-50g/10min,優選1-45g/10min,更優選2-40g/10min。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的多層復合膜,其特征在于,在A層、B層或C層中還可再加入另外一種樹脂,如石油樹脂或氫化石油樹脂,優選為C5-C9石油樹脂或C5-C9氫化石油樹脂;其加入量為1-30%重量,優選2-20%重量,更優選3-15%重量,還更優選4-10%重量。
6.一種權利要求1至5任一項的多層復合膜的制備方法,其包括以下步驟:
(1)AYa層、YbBYb層、CYc層的制備:
通過多層共擠,制備出聚烯烴片材,而后在一定溫度環境下進行單向拉伸或雙向拉伸加工出AYa層、YbBYb層、CYc層;
(2)將步驟(1)中得到的各層(如AYa層、YbBYb層、CYc層)進行層壓復合,得到所述復合膜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江眾成包裝材料股份有限公司,未經浙江眾成包裝材料股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310177904.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





