[發(fā)明專利]雙柵氧器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310177577.5
• 申請日: 2013-05-14
• 公開（公告）號: CN103280403A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃君;毛智彪;崇二敏
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/027
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種雙柵氧器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01，在沉積了氧化層薄膜的襯底上涂布光刻膠；

步驟S02，經(jīng)過曝光和顯影去除部分光刻膠，暴露出需要進(jìn)行刻蝕的氧化層薄膜第一區(qū)域，未被去除的剩余光刻膠下的氧化層薄膜為第二區(qū)域；

步驟S03，在剩余光刻膠上涂布化學(xué)微縮材料，并加熱，使化學(xué)微縮材料與光刻膠表面反應(yīng)形成高分子交聯(lián)的保護(hù)膜；

步驟S04，引入紫外光照射步驟S03處理后的光刻膠表面，加強(qiáng)固化光刻膠表面的高分子交聯(lián)保護(hù)膜；

步驟S05，刻蝕去除該第一區(qū)域的氧化層薄膜，去除剩余光刻膠；

步驟S06，再次沉積一層氧化層薄膜，得到不同厚度的氧化層，形成雙柵氧結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵氧器件的制造方法，其特征在于：步驟S01中光刻膠為適合I線光刻工藝、248納米光刻工藝、193納米光刻工藝或EUV光刻工藝的光刻膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵氧器件的制造方法，其特征在于：步驟S03中化學(xué)微縮材料是含烷基氨基的水溶性高分子材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙柵氧器件的制造方法，其特征在于：該水溶性高分子材料為含烷基氨基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯高分子材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵氧器件的制造方法，其特征在于：步驟S03中加熱溫度為80至180℃，加熱時間為15至300秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙柵氧器件的制造方法，其特征在于：加熱溫度為90至170℃，加熱時間為30至120秒。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵氧器件的制造方法，其特征在于：步驟S04中紫外光的光波波長為280至330納米，紫外光的烘焙溫度為100至180℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵氧器件的制造方法，其特征在于：該氧化層薄膜為氧化硅，該襯底為硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵氧器件的制造方法，其特征在于：步驟S03中加熱后還包括用去離子水或含表面活性劑的去離子水溶液去除多余的化學(xué)微縮材料；步驟S03和S04均使用與步驟S02相同的顯影機(jī)臺；步驟S05中刻蝕為濕法刻蝕。