[發明專利]自由曲面光學零件的大氣等離子體數控加工的裝置有效
| 申請號: | 201310177071.4 | 申請日: | 2013-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN103212774A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 王波;李娜;姚英學;李國;金會良;辛強;金江;李鐸 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | B23K10/00 | 分類號: | B23K10/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 150000 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 自由 曲面 光學 零件 大氣 等離子體 數控 加工 裝置 | ||
1.自由曲面光學零件的大氣等離子體數控加工的裝置,其特征在于它由大口徑的等離子體炬(1)、中口徑的等離子體炬(2)、小口徑的等離子體炬(3)、五軸聯動數控機床(4)、射頻電源(5)、混合等離子體氣源(7)組成;
五軸聯動數控機床(4)的絕緣工作架(4-1)上安裝有大口徑的等離子體炬(1)或中口徑的等離子體炬(2)或小口徑的等離子體炬(3),大口徑的等離子體炬(1)或中口徑的等離子體炬(2)或小口徑的等離子體炬(3)可與射頻電源(5)的輸出端連接作為大氣等離子體放電的陽極;將待加工光學零件(6)裝卡在地電極(4-2)上,地電極(4-2)固定在五軸聯動數控機床(4)的水平運動工作臺(4-3)上;將地電極(4-2)接地作為大氣等離子體放電的陰極;當絕緣工作架(4-1)上安裝有大口徑的等離子體炬(1)時,大口徑的等離子體炬(1)的進氣端口(1-1)可通過絕緣工作架(4-1)上的導氣孔(4-4)、氣管(7-1)與混合等離子體氣源(7)導氣連通;當絕緣工作架(4-1)上安裝有中口徑的等離子體炬(2)時,中口徑的等離子體炬(2)的進氣端口(2-1)可通過絕緣工作架(4-1)上的導氣孔(4-4)、氣管(7-1)與混合等離子體氣源(7)導氣連通;當絕緣工作架(4-1)上安裝有小口徑的等離子體炬(3)時,小口徑的等離子體炬(3)的進氣端口(3-2)可通過絕緣工作架(4-1)上的導氣孔(4-4)、氣管(7-1)與混合等離子體氣源(7)導氣連通;大口徑的等離子體炬(1)的放電工作面或中口徑的等離子體炬(2)的放電工作面或小口徑的等離子體炬(3)的放電工作面靠近待加工光學零件(6)的待加工表面,并使它們之間保持一定的放電間隙,放電距離范圍為2mm-5mm。
2.根據權利要求1所述的自由曲面光學零件的大氣等離子體數控加工的裝置,其特征在于所述大口徑的等離子體炬(1)的放電工作面為方形平面或圓形平面,其材質為鋁,并與射頻電源(5)的輸出端連接作為大氣等離子體放電的陽極,其邊側位置設置有進氣口(1-1),進氣口(1-1)與絕緣工作架(4-1)上的導氣孔(4-4)的出氣口導氣連接;當大口徑的等離子體炬(1)進行大氣等離子體加工時,離子體氣體的流量為2?L/min-5?L/min,反應氣體的氣體流量為20?ml/min-90?ml/min,輔助氣體與反應氣體流量的比例為0%-50%,所加射頻功率范圍200W-400W。
3.根據權利要求1所述的自由曲面光學零件的大氣等離子體數控加工的裝置,其特征在于所述中口徑的等離子體炬(2)由內電極(A1)、圓環形聚四氟乙烯連接塊(A2)、圓環形絕緣固定套(A3)、中空圓環形外電極(A4)、圓管形陶瓷噴嘴(A5)組成;
圓環形聚四氟乙烯連接塊(A2)的上端面上開有與圓環形聚四氟乙烯連接塊(A2)內孔(A2-1)連通的進氣孔(A2-2),圓環形絕緣固定套(A3)上設置有多個通氣孔(A3-1),中空圓環形外電極(A4)內部設置有冷卻空腔(A4-1);內電極(A1)的上端鑲嵌在圓環形聚四氟乙烯連接塊(A2)的內孔(A2-1)的上端中,圓環形絕緣固定套(A3)套接在內電極(A1)的中部,圓環形絕緣固定套(A3)外圓面的上部鑲嵌在圓環形聚四氟乙烯連接塊(A2)的內孔(A2-1)的下端處,圓管形陶瓷噴嘴(A5)的上端套接在圓環形絕緣固定套A3外圓面的下部上,使圓管形陶瓷噴嘴(A5)的內圓面與內電極(A1)的外圓面下部之間有一圈均勻的間隙(A5-1),使進氣孔(A2-2)通過內孔(A2-1)、通氣孔(A3-1)與間隙(A5-1)導氣連通,中空圓環形外電極A4的上端與圓環形聚四氟乙烯連接塊(A2)的下端連接,中空圓環形外電極A4的內孔套接在圓管形陶瓷噴嘴(A5)的外圓面上,中空圓環形外電極(A4)的下端面與圓管形陶瓷噴嘴(A5)的下端面、內電極(A1)的下端面平齊;所述內電極(A1)與射頻電源(5)的輸出端連接作為大氣等離子體放電的陽極,進氣孔(A2-2)與絕緣工作架(4-1)上的導氣孔(4-4)的出氣口導氣連接;當中口徑的等離子體炬(2)進行大氣等離子體加工時,離子體氣體的流量為2?L/min-3?L/min,反應氣體的氣體流量為10?ml/min-80?ml/min,輔助氣體與反應氣體流量的比例為0%-50%,所加射頻功率范圍200W-360W。
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