[發明專利]帶加熱單元的微型碳納米管濕度傳感器芯片

有效

• 申請號: 201310177041.3
• 申請日: 2013-05-14
• 公開（公告）號: CN103236429A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 劉曉為;李拓;尹亮;付強;董長春
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: H01L27/01
• 分類號: H01L27/01;B82Y15/00;G01N27/02;G01N27/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.帶加熱單元的微型碳納米管濕度傳感器芯片，其特征在于它的襯底層為硅襯底層，硅襯底層上面設置有整層二氧化硅外延層；二氧化硅外延層上面中間部分設置有金屬一層（3），金屬一層（3）的結構具體為一對叉指電極層結構；在二氧化硅外延層邊緣處設置有與金屬叉指電極導電連通的輸出接口焊盤（5）；在叉指電極結構的周圍設置有金屬二層及其多個多晶硅電阻（1），金屬二層結構為多個多晶硅電阻（1）的連線，所有多晶硅電阻（1）的連接方式為并聯，并將其電源輸入接口（6）設置在二氧化硅外延層邊緣處；在暴露出的二氧化硅外延層上、金屬一層（3）上、金屬二層上和多個多晶硅電阻（1）上設置有整層鈍化層，鈍化層為最頂層，保護性地覆蓋所有層結構；在鈍化層上刻蝕出多個焊盤窗口（2），每個焊盤窗口（2）都位于叉指電極正上方并暴露出叉指電極，多個焊盤窗口（2）以方形陣列形式排列，同一叉指電極上的焊盤窗口（2）以最小間距排列；在鈍化層上面中間部，即焊盤窗口（2）陣列和叉指電極對結構的正上方，設置有整層碳納米管濕度敏感薄膜（4），覆蓋住整個叉指電極對的區域；所述碳納米管濕度敏感薄膜（4）的覆蓋工藝為不損害芯片的濺射工藝、絲網印刷工藝或者懸涂工藝；上述所有層結構及多個多晶硅電阻（1）結構都是用CADENCE版圖繪制軟件，通過標準CMOS?IC工藝制作；工藝的特征尺寸為0.5um、0.35um、0.18um或非標準等工藝條件。