[發(fā)明專利]帶加熱單元的微型碳納米管濕度傳感器芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310177041.3 | 申請日： | 2013-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN103236429A | 公開（公告）日： | 2013-08-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉曉為;李拓;尹亮;付強;董長春 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | H01L27/01 | 分類號： | H01L27/01;B82Y15/00;G01N27/02;G01N27/22 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 150000 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 加熱 單元 微型 納米 濕度 傳感器 芯片 | ||
1.帶加熱單元的微型碳納米管濕度傳感器芯片，其特征在于它的襯底層為硅襯底層，硅襯底層上面設(shè)置有整層二氧化硅外延層；二氧化硅外延層上面中間部分設(shè)置有金屬一層（3），金屬一層（3）的結(jié)構(gòu)具體為一對叉指電極層結(jié)構(gòu)；在二氧化硅外延層邊緣處設(shè)置有與金屬叉指電極導(dǎo)電連通的輸出接口焊盤（5）；在叉指電極結(jié)構(gòu)的周圍設(shè)置有金屬二層及其多個多晶硅電阻（1），金屬二層結(jié)構(gòu)為多個多晶硅電阻（1）的連線，所有多晶硅電阻（1）的連接方式為并聯(lián)，并將其電源輸入接口（6）設(shè)置在二氧化硅外延層邊緣處；在暴露出的二氧化硅外延層上、金屬一層（3）上、金屬二層上和多個多晶硅電阻（1）上設(shè)置有整層鈍化層，鈍化層為最頂層，保護性地覆蓋所有層結(jié)構(gòu)；在鈍化層上刻蝕出多個焊盤窗口（2），每個焊盤窗口（2）都位于叉指電極正上方并暴露出叉指電極，多個焊盤窗口（2）以方形陣列形式排列，同一叉指電極上的焊盤窗口（2）以最小間距排列；在鈍化層上面中間部，即焊盤窗口（2）陣列和叉指電極對結(jié)構(gòu)的正上方，設(shè)置有整層碳納米管濕度敏感薄膜（4），覆蓋住整個叉指電極對的區(qū)域；所述碳納米管濕度敏感薄膜（4）的覆蓋工藝為不損害芯片的濺射工藝、絲網(wǎng)印刷工藝或者懸涂工藝；上述所有層結(jié)構(gòu)及多個多晶硅電阻（1）結(jié)構(gòu)都是用CADENCE版圖繪制軟件，通過標(biāo)準(zhǔn)CMOS?IC工藝制作；工藝的特征尺寸為0.5um、0.35um、0.18um或非標(biāo)準(zhǔn)等工藝條件。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
