[發(fā)明專利]一種磁存儲(chǔ)介質(zhì)的安全銷毀裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310176799.5
• 申請(qǐng)日: 2013-05-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103310802A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許振明;薛面強(qiáng);閆國(guó)卿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類號(hào): G11B5/012
• 分類號(hào): G11B5/012
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磁存儲(chǔ)介質(zhì)安全銷毀的技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種磁存儲(chǔ)介質(zhì)的安全銷毀裝置。

背景技術(shù)

隨著信息時(shí)代的到來(lái)，信息的記錄、存儲(chǔ)、傳輸技術(shù)空前發(fā)展。磁存儲(chǔ)介質(zhì)是一種特殊的電子存儲(chǔ)設(shè)備，具有容量大、傳輸速度高以及易攜帶等特點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。以最為典型的硬盤為例，2006年全球硬盤生產(chǎn)量達(dá)到4.284億塊。一方面，磁存儲(chǔ)介質(zhì)都具有一定的使用壽命，生命周期結(jié)束后大量報(bào)廢。另一方面，由于人們需求不斷提高，磁存儲(chǔ)介質(zhì)加速升級(jí)和更新?lián)Q代。因此，產(chǎn)生了大量的廢棄磁存儲(chǔ)介質(zhì)。

在磁存儲(chǔ)介質(zhì)的使用過(guò)程中，信息涉及到政府機(jī)構(gòu)、企業(yè)以及個(gè)人。磁存儲(chǔ)介質(zhì)使用者會(huì)遇到信息泄露、信息非法竊取等信息安全問(wèn)題。特別是一些黨政軍機(jī)關(guān)、金融系統(tǒng)和保密部門，重要信息一旦泄露，將會(huì)造成不可挽回的損失。研究人員采用DOS?f-disk命令對(duì)硬盤進(jìn)行銷毀信息處理，結(jié)果表明99.9%的信息完好無(wú)損。因此，研究磁存儲(chǔ)介質(zhì)安全銷毀的方法具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。

硬盤是根據(jù)磁頭讀寫(xiě)盤片上的磁疇來(lái)進(jìn)行信息處理的。每個(gè)磁疇只具有兩個(gè)可能的方向，即分別代表二進(jìn)制中的“0”和“1”。目前，硬盤信息安全銷毀方法主要有覆寫(xiě)法、機(jī)械物理法、化學(xué)法、高溫法和磁場(chǎng)法等。覆寫(xiě)法最為便捷但卻銷毀不徹底。機(jī)械物理法具有較高難度將盤片全部銷毀到一定粒級(jí)，且能耗較高。化學(xué)法涉及到廢水、廢氣排放的環(huán)境問(wèn)題。高溫方法通過(guò)加熱到磁性材料的居里點(diǎn)達(dá)到信息銷毀的目的，優(yōu)點(diǎn)是效果好，缺點(diǎn)是成本高且影響其材料的資源化回收過(guò)程。中國(guó)發(fā)明專利《一種計(jì)算機(jī)用硬盤數(shù)據(jù)的物理銷毀方法》（張安兵等，申請(qǐng)?zhí)?200710165217.8）發(fā)明了一種自毀式硬盤，適合在緊急條件下將數(shù)據(jù)快速的銷毀。實(shí)用新型專利《一種硬盤消磁機(jī)用消磁線圈》（陳澤軍，申請(qǐng)?zhí)?201220256729.1）公開(kāi)了一種硬盤消磁用的線圈，包括線圈尺寸、線徑、匝數(shù)等，沒(méi)有涉及具體消磁參數(shù)以及消磁方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種磁存儲(chǔ)介質(zhì)的銷毀裝置，通過(guò)消磁手段將磁存儲(chǔ)介質(zhì)磁疇性質(zhì)改變，進(jìn)而將其存儲(chǔ)的信息消除，為現(xiàn)代信息安全提供保障。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下：

一種磁存儲(chǔ)介質(zhì)的安全銷毀裝置，其特點(diǎn)在于，包括由一對(duì)帶鐵芯的同軸螺線管、變阻器、電源和電流表依次串聯(lián)構(gòu)成靜磁場(chǎng)發(fā)生機(jī)構(gòu)以及設(shè)置在所述的一對(duì)帶鐵芯的同軸螺線管的磁極之間的傳送機(jī)構(gòu)。

所述的靜磁場(chǎng)發(fā)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度通過(guò)改變所述的變阻器的電阻從而改變回路電流來(lái)控制調(diào)節(jié)。

所述的傳送機(jī)構(gòu)包括傳送帶和物料槽，該物料槽的間距、傳送帶的帶速均可調(diào)，用來(lái)控制磁存儲(chǔ)介質(zhì)的消磁時(shí)間。

所述的靜磁場(chǎng)發(fā)生機(jī)構(gòu)的位置可調(diào)，用來(lái)控制磁場(chǎng)與磁存儲(chǔ)介質(zhì)之間的角度。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是通過(guò)磁力作用克服磁性存儲(chǔ)材料的矯頑力，改變磁性材料的方向，將存儲(chǔ)的信息永久性銷毀，具有操作簡(jiǎn)單、銷毀徹底、批量操作、無(wú)廢水廢氣排放、能耗低的特點(diǎn)，為實(shí)現(xiàn)磁存儲(chǔ)介質(zhì)的安全銷毀提供方便。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明磁存儲(chǔ)介質(zhì)的安全銷毀裝置的原理圖。

圖2為消磁銷毀后磁性材料的方向與靜態(tài)磁場(chǎng)方向的示意圖。

圖3為本發(fā)明磁存儲(chǔ)介質(zhì)的安全銷毀裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明消磁銷毀效果表征圖。

圖中，1為變阻器；2為電源；3為電流表；4為同軸螺線管；B為磁感應(yīng)強(qiáng)度；α為硬盤盤片與磁場(chǎng)方向的夾角；t為消磁作用時(shí)間；Ra為磁力梯度；MFM為磁力顯微鏡表征圖像；11為待銷毀盤片；12為傳送帶；13為靜態(tài)磁場(chǎng)；14為永磁鐵或電磁鐵；15為已銷毀盤片。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做進(jìn)一步的說(shuō)明。本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于以下實(shí)施例。

請(qǐng)先參閱圖1和圖3，圖1為本發(fā)明磁存儲(chǔ)介質(zhì)的安全銷毀裝置的原理圖，圖3為本發(fā)明磁存儲(chǔ)介質(zhì)的銷毀裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，一種磁存儲(chǔ)介質(zhì)的安全銷毀裝置，包括由一對(duì)帶鐵芯的同軸螺線管4、變阻器1、電源2和電流表3依次串聯(lián)構(gòu)成靜磁場(chǎng)發(fā)生機(jī)構(gòu)以及設(shè)置在所述的一對(duì)帶鐵芯的同軸螺線管的磁極之間的傳送機(jī)構(gòu)。傳送機(jī)構(gòu)包括傳送帶12和物料槽，待銷毀盤片11放置在物料槽中經(jīng)傳送帶12通過(guò)靜磁場(chǎng)發(fā)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的靜態(tài)磁場(chǎng)區(qū)域。消磁銷毀后，磁性材料的方向與靜態(tài)磁場(chǎng)方向相同，如圖2所示。