[發明專利]在非易失性存儲設備中編程數據的方法和裝置

在審

• 申請號: 201310176746.3
• 申請日: 2013-05-14
• 公開（公告）號: CN103426471A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 李準祐
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

技術領域

本公開涉及編程數據的方法和裝置，以及設定用于編程數據的數據編程模式的方法和裝置。

背景技術

近來，在例如移動電話、攝像機和平板電腦等電子設備中使用非易失性存儲設備來存儲數據。術語“非易失性存儲設備”是指即使在無供電時也保持存儲設備單元中記錄的數據的存儲設備。

當在非易失性存儲設備中存儲數據時，即，當編程數據時，非易失性存儲設備在控制柵極與襯底之間施加高電壓，并在浮置柵極中捕獲電子，從而使編程單元與擦除單元不同。術語“編程單元”是指其中電子被捕獲在浮置柵極中的單元。相反，術語“擦除單元”是指其中電子未被捕獲在浮置柵極中的單元。

發明內容

為解決現有技術的上述問題，主要目的是提供一種能夠防止存儲器件中發生數據丟失的方法。

此外，本公開另一方面是提供一種方法，通過該方法能夠考慮到SMD回流工藝在存儲器件中存儲數據。

此外，可以在以下示例實施例中獲知本公開要提供的其他目的。

為實現上述目的，根據本公開一方面，提供了一種在非易失性存儲器件中編程數據的方法。該方法包括：基于設定的模式信息，在至少兩個編程模式中確定要用于當前數據編程的編程模式，所述至少兩個編程模式針對其中要編程數據的單元規定了不同驗證電壓；以及根據確定的編程模式來編程數據。

同時，根據本公開另一方面，提供了一種設定針對非易失性存儲器件的數據編程模式的方法。該方法包括：設定至少兩個編程模式，所述至少兩個編程模式針對其中要編程數據的單元規定了不同驗證電壓；以及在非易失性存儲器件中存儲與設定的所述至少兩個編程模式有關的模式信息。

同時，根據本公開另一方面，提供了一種在非易失性存儲器件中編程數據的裝置。該裝置包括：控制器，用于基于設定的模式信息，在至少兩個編程模式中確定要用于當前數據編程的編程模式，并根據確定的編程模式產生控制信號，其中所述至少兩個編程模式針對其中要編程數據的單元規定了不同驗證電壓；以及電壓生成器，用于基于從控制器接收的控制信號，向至少一個單元施加編程電壓。

同時，根據本公開另一方面，提供了一種設定針對非易失性存儲器件的數據編程模式的裝置。該裝置包括：模式設定器，用于設定至少兩個編程模式，并在非易失性存儲器件中存儲與設定的所述至少兩個編程模式有關的模式信息，其中所述至少兩個編程模式針對其中要編程數據的單元規定了不同驗證電壓。

同時，根據本公開另一方面，提供了一種設定針對非易失性存儲器件的數據編程模式的方法。該方法包括：在非易失性存儲器件中將缺省模式設定為第二編程模式，所述非易失性存儲器件存儲有與第一編程模式和第二編程模式有關的信息，第一編程模式針對其中要編程數據的單元規定了不同驗證電壓，第二編程模式規定了比第一編程模式規定的驗證電壓高設定值的驗證電壓；以及向非易失性存儲器件傳送輸入的數據。

同時，根據本公開另一方面，提供了一種設定針對非易失性存儲器件的數據編程模式的裝置。該裝置包括：模式設定器，用于在非易失性存儲器件中將缺省模式設定為第二編程模式，所述非易失性存儲器件存儲有與第一編程模式和第二編程模式有關的信息，第一編程模式針對其中要編程數據的單元規定了不同驗證電壓，第二編程模式規定了比第一編程模式規定的驗證電壓高設定值的驗證電壓；以及數據輸入單元，用于向非易失性存儲器件傳送輸入的數據。

在閱讀以下本發明具體實施方式之前，提出對貫穿本專利文獻所使用的特定詞語和短語的定義可能是有利的：術語“包含”和“包括”及其衍生詞意味著無限制的含括；術語“或”是可兼的，意味著和/或；短語“與......相關聯”和“與其相關聯”及其衍生詞可以意味著包括、包括在內、與......互連、包含、包含在內、連接至或與......連接、耦接至或與......耦接、與......協作、交錯、并列、鄰近于、束縛到或與......相束縛、具有、具有......特性等；以及術語“控制器”意味著控制至少一個操作的任何設備、系統或其部件，這樣的設備可以以硬件、固件或軟件或者以上中至少兩個的某種組合來實現。應當注意與任何特定控制器相關聯的功能可以是集中式或分布式的，不管是本地還是遠程方式。貫穿本專利文獻提供對特定詞語和短語的定義，本領域普通技術人員應當理解，即使不是大多數情況，在許多情況下這些定義也應用于如此限定詞語和短語的現有以及未來使用。

附圖說明

為了更加全面理解本公開及其優點，現在參照以下結合附圖的描述，附圖中類似附圖標記表示類似部分：

圖1示出了存儲器件中閾值電壓的示例分布；