[發明專利]圖案化的方法及存儲器元件的形成方法

有效

• 申請號: 201310176237.0
• 申請日: 2013-05-14
• 公開（公告）號: CN104022021A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 蔡仁祥
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/77
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 曹玲柱

1.一種圖案化的方法，其特征在于，包括：

提供一基底，上述基底具有第一區域與第二區域；

在上述基底上依序形成目標層、犧牲層及第一掩模層，其中上述第一掩模層具有位于上述第一區域中的多個第一掩模圖案以及位于上述第二區域中的多個第二掩模圖案；

以上述第一掩模層為掩模，移除部分上述犧牲層，以形成多個犧牲圖案；

移除上述第一掩模層；

在各犧牲圖案的各側壁上形成間隙壁；

移除上述犧牲圖案；

至少移除上述第二區域中的上述間隙壁；

在上述基底上形成第二掩模層，覆蓋鄰近上述第二區域的部分上述第一區域；

以上述第二掩模層與剩余的上述間隙壁為掩模，移除部分上述目標層，以在上述第一區域上形成多個第一目標圖案，且在鄰近于上述第二區域的部分上述第一區域上形成第二目標圖案；以及

移除上述第二掩模層與剩余的上述間隙壁。

2.根據權利要求1所述的圖案化的方法，其中上述第二目標圖案的一側邊由剩余的上述間隙壁中的一個定義，另一側邊由上述第二掩模層定義。

3.根據權利要求1所述的圖案化的方法，其中上述第一區為單元區，而上述第二區為周邊區。

4.根據權利要求1所述的圖案化的方法，其中：上述基底還具有第三區域，其中上述第二區域位于上述第一區域與上述第三區域之間；

上述第一掩模層還具有位于上述第三區域中的多個第三掩模圖案；

上述第二掩模層還覆蓋鄰近上述第二區域的部分上述第三區域；以及

以上述第二掩模層與剩余的上述間隙壁為掩模，移除部分上述目標層，還包括在上述第三區域上形成多個第三目標圖案，且上述第二目標圖案還形成在鄰近于上述第二區域的部分上述第三區域上。

5.根據權利要求4所述的圖案化的方法，其中上述第一區與上述第三區為單元區，上述第二區為周邊區。

6.根據權利要求4所述的圖案化的方法，其中上述第二目標圖案的一側邊分別由剩余的上述間隙壁中的一個定義，另一側邊分別是由上述第二掩模層定義。

7.根據權利要求4所述的圖案化的方法，其中上述第一掩模圖案及上述第三掩模圖案具有相同線寬與相同間距。

8.根據權利要求4所述的圖案化的方法，其中上述第一掩模圖案及上述第三掩模圖案具有不同線寬或不同間距。

9.根據權利要求4所述的圖案化的方法，其中鄰近上述第一區域的部分上述第二掩模圖案與上述第一區域的上述第一掩模圖案具有相同線寬與相同間距。

10.根據權利要求4所述的圖案化的方法，其中鄰近上述第三區域的部分上述第二掩模圖案與上述第三區域的上述第三掩模圖案具有相同線寬與相同間距。

11.根據權利要求4所述的圖案化的方法，其中至少移除上述第二區域中的上述間隙壁的方法包括：

在上述基底上形成第三掩模層，覆蓋部分上述第一區域與部分上述第三區域，以至少裸露出上述第二區域；

以上述第三掩模層為掩模，移除上述第二區域中的上述間隙壁，并同時移除上述第一區域與上述第三區域中的部分上述間隙壁，以切斷對應于上述犧牲圖案末端的上述間隙壁的回路；以及

移除上述第三掩模層。

12.根據權利要求1所述的圖案化的方法，其中：

上述基底還具有第四區域，上述第一區域位于上述第二區域與上述第四區域之間；

上述第一掩模層還具有位于上述第四區域中的多個第三掩模圖案；

上述第二掩模層還覆蓋鄰近上述第四區域的部分上述第一區域；以及

以上述第二掩模層與剩余的上述間隙壁為掩模，移除部分上述目標層還包括在鄰近于上述第四區域的部分上述第一區域上形成上述第二目標圖案。

13.根據權利要求12所述的圖案化的方法，其中上述第一區為單元區，上述第二區與上述第四區為周邊區。

14.根據權利要求12所述的圖案化的方法，其中上述第二目標圖案的一側邊由剩余的上述間隙壁中的一個定義，另一側邊由上述第二掩模層定義。