[發(fā)明專利]一種起爆序列用V型結(jié)構(gòu)MEMS執(zhí)行器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310176131.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103288041A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙玉龍;胡騰江;李波;白穎偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B81B7/02 | 分類號(hào): | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 西安智大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215 | 代理人: | 賀建斌 |
| 地址: | 710049*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 起爆 序列 結(jié)構(gòu) mems 執(zhí)行 | ||
1.一種起爆序列用V型結(jié)構(gòu)MEMS執(zhí)行器,包括單晶硅襯底(1),其特征在于:?jiǎn)尉Ч枰r底(1)上制作有直徑為150~180um的加速膛孔(5),二氧化硅絕緣層(2)在單晶硅襯底(1)上生長(zhǎng),生長(zhǎng)厚度為2~3um,將單晶硅結(jié)構(gòu)層(3)與生長(zhǎng)了二氧化硅絕緣層(2)的單晶硅襯底(1)鍵合,單晶硅結(jié)構(gòu)層(3)的厚度為50~100um,金屬電極層(4)沉積在單晶硅結(jié)構(gòu)層(3)的錨點(diǎn)(3-2)上;
MEMS執(zhí)行器在單晶硅結(jié)構(gòu)層(3)中制作,MEMS執(zhí)行器包括錨點(diǎn)(3-2),成陣列結(jié)構(gòu)的V型梁熱電驅(qū)動(dòng)單元(3-3)的兩端與錨點(diǎn)(3-2)連接,中間臂(3-4)位于V型梁熱電驅(qū)動(dòng)單元(3-3)的中間并相互固定,柔性梁(3-5)的兩端分別與中間臂(3-4)和杠桿(3-1)的首端相連接,隔板(3-6)制作在杠桿(3-1)的末端,隔板(3-6)將加速膛孔(5)擋住;
所述的MEMS執(zhí)行器是除去與錨點(diǎn)(3-2)鍵合的部分,其余的二氧化硅絕緣層(2)將被腐蝕掉,使杠桿(3-1)、V型梁熱電執(zhí)行器(3-3)、中間臂(3-4)、柔性梁(3-5)以及隔板(3-6)懸空,形成最終的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種起爆序列用V型結(jié)構(gòu)MEMS執(zhí)行器,其特征在于:所述的V型梁熱電驅(qū)動(dòng)單元(3-3)的總長(zhǎng)度為1000~2000um,寬為30~40um,中間夾角為160~170°,每組V型梁熱電驅(qū)動(dòng)單元之間的間距為80~100um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種起爆序列用V型結(jié)構(gòu)MEMS執(zhí)行器,其特征在于:所述的柔性梁(3-5)的長(zhǎng)度為300~500um,寬度為10~15um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種起爆序列用V型結(jié)構(gòu)MEMS執(zhí)行器,其特征在于:所述的隔板(3-6)為邊長(zhǎng)200~250um的正方形結(jié)構(gòu)。
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