[發明專利]薄膜晶體管、薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201310176072.7
• 申請日: 2013-05-13
• 公開（公告）號: CN103227209A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 薛景峰
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括第一漏極、第二漏極、第一源極以及第二源極，所述第一漏極與所述第一源極定義一第一U形溝道，所述第一U形溝道的開口朝第一方向設置，所述第二漏極和所述第二源極定義一第二U形溝道，所述第二U形溝道的開口朝不同于所述第一方向的第二方向設置，所述第二U形溝道的底部寬度大于所述第一U形溝道的底部寬度。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二U形溝道的底部寬度與所述第一U形溝道的底部寬度的差值在0.25μm～1.25μm之間。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一漏極為第一U形漏極，所述第二漏極為第二U形漏極，所述第一源極為第一條狀源極，所述第二源極為第二條狀源極，所述第一條狀源極從所述第一U形漏極的開口延伸至所述第一U形漏極的內部且與所述第一U形漏極間隔設置，所述第二條狀源極從所述第二U形漏極的開口延伸至所述第二U形漏極的內部且與所述第二U形漏極間隔設置，所述第一U形溝道的底部寬度為所述第一條狀源極的端部與所述第一U形漏極的底部之間的寬度，所述第二U形溝道的底部寬度為所述第二條狀源極的端部與所述第二U形漏極的底部之間的寬度。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一U形漏極的底部與所述第二U形漏極的底部部分重疊設置。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一方向為所述薄膜晶體管的清洗過程中用于吹干清洗液的吹風方向。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一方向與所述第二方向互為反向。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一漏極、所述第二漏極、所述第一源極以及所述第二源極由同一漏源層制成，所述薄膜晶體管進一步包括設置于所述漏源層下方的歐姆接觸層，所述歐姆接觸層對應于所述第一U形溝道和所述第二U形溝道的區域被蝕刻，以避免所述第一漏極與所述第一源極之間以及所述第二漏極與所述第二源極之間通過所述歐姆接觸層相互導通。

8.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括基板以及設置于所述基板上的如權利要求1-7任意一項所述的薄膜晶體管。

9.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

于基板上形成漏源層；

蝕刻所述漏源層，以形成第一漏極、第二漏極、第一源極以及第二源極，所述第一漏極與所述第一源極定義一第一U形溝道，所述第一U形溝道的開口朝第一方向設置，所述第二漏極和所述第二源極定義一第二U形溝道，所述第二U形溝道的開口朝不同于所述第一方向的第二方向設置，所述第二U形溝道的底部寬度大于所述第一U形溝道的底部寬度；

利用清洗液清洗所述基板；

沿所述第一方向吹干所述清洗液。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，在所述于基板上形成漏源層的步驟之前，進一步包括：于所述漏源層下方形成一歐姆接觸層；在所述沿所述第一方向吹干所述清洗液的步驟之后，進一步包括：蝕刻所述歐姆接觸層對應于所述第一U形溝道和所述第二U形溝道的區域，以避免所述第一漏極與所述第一源極之間以及所述第二漏極與所述第二源極之間通過所述歐姆接觸層相互導通。