[發明專利]一種陣列基板、觸控液晶顯示面板及其制造方法

有效

• 申請號: 201310175657.7
• 申請日: 2013-05-13
• 公開（公告）號: CN103941496B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 馬駿;姚綺君;趙麗軍
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/1343;G06F3/044;G06F3/041
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

技術領域

本發明涉及觸控技術領域，尤其涉及一種陣列基板、觸控液晶顯示面板及其制造方法。

背景技術

目前在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)顯示領域，隨著技術的不斷更新，液晶顯示面板正在向著大型化迅速發展。觸摸屏（Touch Panel，TP）作為一種輸入媒介，和顯示屏集成在一體作為觸摸顯示屏，在顯示領域發揮著重要的作用。其中，電容式觸摸屏，因其具有較高的靈敏度，備受關注。互電容式觸摸屏，憑借其較高的靈敏度以及多點觸控的優點，受到人們的青睞。

目前，按照觸摸屏與液晶顯示裝置的組合方式不同，可以分為兩種，一種是外掛式觸摸屏，另一種是內嵌式觸摸屏。外掛式觸摸屏與顯示裝置分開制造然后通過組裝的方式制作在一起。這樣勢必增加顯示屏厚度，并且由于增加了若干層透明玻璃或薄膜，顯示透光率以及對比度也會明顯下降。另外這種做法成本也較高。而內嵌式觸摸屏，將TP集成到液晶顯示面板（Liquid Crystal Display，LCD），由于其制作成本低、透光率較好、模組厚度較薄等原因成為目前人們研究的熱點。

互電容式觸摸屏的觸摸驅動電極確定觸摸點的X向坐標，觸摸感應電極確定觸摸點的Y向坐標。在觸摸驅動電極側施加觸摸驅動電壓，在觸摸感應電極側施加恒定電壓。在檢測觸摸點時，對X向觸摸驅動電極進行逐行掃描，在掃描每一行觸摸驅動電極時，均讀取每條觸摸感應電極上的信號，通過一輪的掃描，就可以把每個行列的交點都掃描到，共掃描X*Y個信號。這種觸控定位檢測方式可以具體的確定多點的坐標，因此可以實現多點觸摸。

互電容式觸摸屏等效電路模型如圖1所示，信號源101、觸摸驅動電極電阻103、觸摸驅動電極與觸摸感應電極之間的互電容102、觸摸驅動電極/觸摸感應電極和公共電極間的寄生電容104、觸摸感應電極電阻105，以及觸摸點檢測電路106。當手指觸碰觸摸屏時，電路中有一部分電流流入手指，等效為觸摸驅動電極及觸摸感應電極之間的互電容102的值發生改變，在觸摸點檢測電路端檢測互電容102引起的微弱電流變化。

由于觸摸驅動電極和觸摸感應電極均設置在液晶顯示面板中，TP結構與LCD公共電極之間的距離很小，觸摸驅動電極/觸摸感應電極和公共電極間的寄生電容104非常大，使得LCD的噪音對TP的影響很大；因此觸摸點檢測電路檢測的電流信號幾乎湮沒在噪聲中，觸控效果非常差，甚至可能導致觸摸屏無法正常工作。

另外，在現有的觸控顯示面板中，當觸屏信號強度較小時，信號電流也比較小，容易直接從驅動電極流入到感應電極，使得公共電極四邊與中心位置存在信號延遲，最終導致顯示屏中心位置的信號小于四邊的信號；影響到觸摸屏的信號檢測，導致面板中心位置出現觸屏無反應的問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種陣列基板、觸控液晶顯示面板及其制造方法，可降低公共電極電阻，從而解決觸摸屏中心位置容易出現觸屏無反應的問題。

為了解決上述技術問題，一方面，本發明的實施例提供一種陣列基板，包括：像素單元，所述像素單元包括相互絕緣的像素電極與公共電極，還包括：與所述公共電極并聯的導電層。其中，所述導電層用于降低所述公共電極的電阻。

一種實施例中，該導電層沉積在所述像素電極的非透光區。其中，所述導電層為金屬層。

進一步地，所述金屬層為復合結構。

一種較佳的實施例中，所述金屬層為Mo/AlNd雙層結構。

進一步地，所述導電層沿所述像素電極的透光區形成環形結構。

另一種實施例中，所述導電層沉積在所述像素電極的透光區，所述導電層為透明導電層。

另一方面，本發明的實施例還提供一種觸控液晶顯示面板，包括第一基板、第二基板及設置在所述第一基板與第二基板間的液晶層；所述第一基板為上述的陣列基板，所述第二基板為彩膜基板。

所述顯示面板為頂公共電極IPS顯示面板或FFS顯示面板。

另一方面，本發明的實施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括以下步驟：提供一基底；在所述基底上形成柵電極；在所述柵電極上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成源/漏電極及像素電極、公共電極；在所述公共電極上形成與所述公共電極并聯的導電層。

一種實施例中，所述導電層形成與所述像素電極的非透光區。

所述導電層為Mo/AlNd雙層金屬結構。