[發明專利]一種近紅外光電硅材料的制備方法

有效

• 申請號: 201310173942.5
• 申請日: 2013-05-13
• 公開（公告）號: CN103268858A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 陳長水
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 宣國華

1.一種近紅外光電硅材料的制備方法，包括對晶體硅片重摻雜硫元素，其特征是：將重摻雜硫元素的晶體硅片置于退火裝置中采用電場輔助退火，退火電場的電壓大小為不能擊穿硅片，退火溫度為550℃，退火時間為6個小時。

2.根據權利要求1所述的近紅外光電材料的制備方法，其特征是：退火電場的電壓為10000V。

3.根據權利要求1所述的近紅外光電材料的制備方法，其特征是：將重摻雜硫元素的晶體硅片置于退火裝置中進行電場輔助退火時，使晶體硅片重摻雜硫元素的表面朝向電場的正極，且電場方向垂直于該晶體硅片重摻雜硫元素的表面。

4.根據權利要求3所述的近紅外光電材料的制備方法，其特征是：所述電場為勻強電場。

5.根據權利要求1所述的近紅外光電材料的制備方法，其特征是：對晶體硅片重摻雜硫元素時采用激光進行重硫摻雜。

6.根據權利要5所述的近紅外光電材料的制備方法，其特征是：所述激光為飛秒或納秒級激光。

7.根據權利要求6所述的近紅外光電材料的制備方法，其特征是：對晶體硅片重摻雜硫元素時，將晶體硅片置于腔室中，調節腔室內壓強為1×10^-3pa以下，充入含硫氣體至腔室內壓強為0.5±0.01Pa，調節激光強度為1.8J/cm²，采用飛秒或納秒級激光光斑掃描晶體硅表面，待激光掃過所有的硅表面時，將裝載有晶體硅片的腔室抽真空處理至真空度為1×10^-3pa以下，充入惰性氣體至腔室內壓強為0.5±0.01Pa，取出晶體硅片置于電場中進行輔助退火。

8.根據權利要求7所述的近紅外光電材料的制備方法，其特征是：所述的含硫氣體為SF₆；所述的惰性氣體為氬氣。

9.根據權利要求1-8任一項所述的近紅外光電材料的制備方法，其特征是：所述晶體硅片為單晶硅片。

10.根據權利要求9所述的近紅外光電材料的制備方法，其特征是：所述晶體硅片需進行超聲清洗處理，所述超聲清洗采用的溶劑為丙酮。