[發(fā)明專利]一種高精度振蕩器及頻率產(chǎn)生方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310173468.6
• 申請日: 2013-05-13
• 公開（公告）號: CN103312267A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 歐新華
• 申請（專利權(quán)）人: 上海芯導(dǎo)電子科技有限公司
• 主分類號: H03B5/32
• 分類號: H03B5/32
• 代理公司: 上海碩力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31251
• 代理人: 王建國

1.一種高精度振蕩器，其特征在于，所述振蕩器包括：

帶隙基準(zhǔn)電壓源BANDGAP，用來提供穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓；

跨導(dǎo)放大器，與所述BANDGAP相連；

低通濾波器，與所述跨導(dǎo)放大器相連；

壓控振蕩器，與所述低通濾波器和跨導(dǎo)放大器分別相連，當(dāng)當(dāng)前頻率Fclk偏離目標(biāo)頻率值，對當(dāng)前頻率進(jìn)行調(diào)整，直到達(dá)到目標(biāo)頻率值；

偏置電流源，與所述壓控振蕩器相連，接收所述壓控振蕩器輸出的頻率Fclk，并轉(zhuǎn)化Fclk為電流I1；

低溫漂電阻R1，與所述偏置電流源相連。

2.如權(quán)利要求1所述的高精度振蕩器，其特征在于，所述低溫漂電阻外串接于所述偏置電流源。

3.如權(quán)利要求2所述的高精度振蕩器，其特征在于，所述偏置電流源電路為調(diào)整內(nèi)環(huán)；所述帶隙基準(zhǔn)電壓源BANDGAP、跨導(dǎo)放大器、低通濾波器、偏置電流源和低溫漂電阻R1組成調(diào)整外環(huán)。

4.如權(quán)利要求1所述的高精度振蕩器，其特征在于，所述偏置電流源電路為調(diào)整內(nèi)環(huán)，所述低溫漂電阻內(nèi)置于所述調(diào)整內(nèi)環(huán)，并與所述偏置電流源串聯(lián)；所述帶隙基準(zhǔn)電壓源BANDGAP、跨導(dǎo)放大器、低通濾波器、偏置電流源組成調(diào)整外環(huán)。

5.如權(quán)利要求3或4任意一項(xiàng)所述的高精度振蕩器，其特征在于，所述調(diào)整內(nèi)環(huán)帶寬大于調(diào)整外環(huán)帶寬。

6.一種振蕩器頻率產(chǎn)生方法，其特征在于，所述方法包括：

所述振蕩器由帶隙基準(zhǔn)電壓源BANDGAP、跨導(dǎo)放大器、低通濾波器、壓控振蕩器、低溫漂電阻R1組成，其中，所述偏置電流源電路為調(diào)整內(nèi)環(huán)；所述帶隙基準(zhǔn)電壓源BANDGAP、跨導(dǎo)放大器、低通濾波器、偏置電流源和低溫漂電阻R1組成調(diào)整外環(huán)；

根據(jù)目標(biāo)頻率值Fclk得到目標(biāo)電流值；

根據(jù)所述目標(biāo)電流值，設(shè)定所述低溫漂電阻R1的值；

當(dāng)當(dāng)前頻率偏離目標(biāo)頻率值，所述壓控振蕩器對當(dāng)前頻率進(jìn)行調(diào)整，直到達(dá)到目標(biāo)頻率值。

7.一種振蕩器頻率產(chǎn)生方法，其特征在于，所述方法包括：

所述振蕩器由帶隙基準(zhǔn)電壓源BANDGAP、跨導(dǎo)放大器、低通濾波器、壓控振蕩器、低溫漂電阻R1組成，其中，所述偏置電流源電路為調(diào)整內(nèi)環(huán)；所述帶隙基準(zhǔn)電壓源BANDGAP、跨導(dǎo)放大器、低通濾波器、偏置電流源和低溫漂電阻R1組成調(diào)整外環(huán)；

根據(jù)目標(biāo)頻率值Fclk得到目標(biāo)電流值；

根據(jù)所述目標(biāo)電流值，設(shè)定所述低溫漂電阻R1的值；

當(dāng)當(dāng)前頻率偏離目標(biāo)頻率值，所述壓控振蕩器對當(dāng)前頻率進(jìn)行調(diào)整，直到達(dá)到目標(biāo)頻率值。